Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FGP20N60UFDTU Альтернативные части: IKP20N60TAHKSA1
FGP20N60UFDTUON Semiconductor
В наличии: 388
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
163.359066 ₽
163.32 ₽
10
154.112321 ₽
1,541.07 ₽
100
145.388984 ₽
14,538.87 ₽
500
137.159423 ₽
68,579.67 ₽
1000
129.395687 ₽
129,395.74 ₽
Цена за единицу: 163.359066 ₽
Итоговая цена: 163.32 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 600V 40A 165W TO220 | IGBT 600V 40A 166W TO220-3-1 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | - |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 16 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-220-3 | TO-220-3 |
Количество контактов | 3 | - |
Вес | 1.8g | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Условия испытания | 400V, 20A, 10 Ω, 15V | 400V, 20A, 12 Ω, 15V |
Время отключения | 87 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -40°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Опубликовано | 2008 | 2004 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | - |
Код ТН ВЭД | 8541.29.00.95 | - |
Максимальная потеря мощности | 165W | 166W |
Конфигурация элемента | Single | - |
Входной тип | Standard | Standard |
Время задержки включения | 13 ns | - |
Мощность - Макс | 165W | 166W |
Применение транзистора | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 2.05V |
Максимальный ток сбора | 40A | 40A |
Время обратной рекомпенсации | 35 ns | 41 ns |
Код JEDEC-95 | TO-220AB | TO-220AB |
Время включения | 29 ns | 35 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 20A | 2.05V @ 15V, 20A |
Время выключения (toff) | 155 ns | 287 ns |
Тип ИGBT | Field Stop | Trench Field Stop |
Зарядная мощность | 63nC | 120nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 60A | 60A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 13ns/87ns | 18ns/199ns |
Переключаемый энергопотребление | 380μJ (on), 260μJ (off) | 770μJ |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 6.5V | - |
Время падения максимальное (tf) | 64ns | - |
Высота | 16.51mm | - |
Длина | 10.67mm | - |
Ширина | 4.83mm | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Серия | - | TrenchStop® |
Положение терминала | - | SINGLE |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED |
Нормативная Марка | - | AEC-Q101 |
Код JESD-30 | - | R-PSFM-T3 |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Сокетная связка | - | COLLECTOR |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGP20V60F | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop | Для сравнения |
 | SGP6N60UFDTU | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT 600V 6A 30W TO220 | Для сравнения |
 | SGS6N60UFDTU | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 6A 22W TO220F | Для сравнения |
 | IKP20N60TAHKSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT 600V 40A 166W TO220-3-1 | Для сравнения |