FGP15N60UNDF Альтернативные части: FGP20N6S2 ,FGPF15N60UNDF

FGP15N60UNDFON Semiconductor

  • FGP15N60UNDFON Semiconductor
  • FGP20N6S2ON Semiconductor
  • FGPF15N60UNDFON Semiconductor

В наличии: 1

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT Transistors 600V 15A NPT IGBT
IGBT 600V 28A 125W TO220AB
IGBT Transistors 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
-
ACTIVE (Last Updated: 2 hours ago)
Срок поставки от производителя
4 Weeks
-
13 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3 Full Pack
Количество контактов
3
3
3
Вес
1.8g
-
2.27g
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Количество элементов
1
-
1
Условия испытания
400V, 15A, 10 Ω, 15V
390V, 7A, 25Ohm, 15V
400V, 15A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Опубликовано
2013
-
2013
Код JESD-609
e3
-
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
3
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
Tin (Sn)
Код ТН ВЭД
8541.29.00.95
-
8541.29.00.95
Максимальная потеря мощности
178W
125W
42W
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
178W
125W
-
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Применение транзистора
MOTOR CONTROL
-
MOTOR CONTROL
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
-
N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600V
2.7V
600V
Максимальный ток сбора
30A
28A
30A
Время обратной рекомпенсации
82.4ns
-
82.4 ns
Код JEDEC-95
TO-220AB
-
TO-220AB
Время включения
18.8 ns
-
18.8 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 15A
2.7V @ 15V, 7A
2.7V @ 15V, 15A
Время выключения (toff)
69.8 ns
-
69.8 ns
Тип ИGBT
NPT
-
NPT
Зарядная мощность
43nC
30nC
43nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
45A
40A
45A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
9.3ns/54.8ns
7.7ns/87ns
9.3ns/54.8ns
Переключаемый энергопотребление
370μJ (on), 67μJ (off)
25μJ (on), 58μJ (off)
370μJ (on), 67μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
20V
-
20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
8.5V
-
8.5V
Время падения максимальное (tf)
12.8ns
-
12.8ns
Высота
16.51mm
-
16.07mm
Длина
10.67mm
-
10.36mm
Ширина
4.83mm
-
2.74mm
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Поставщик упаковки устройства
-
TO-220-3
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
28A
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
600V
-
Моментальный ток
-
28A
-
Мощность - Макс
-
125W
42W
Время подъема
-
4.5ns
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
600V
-
Сокетная связка
-
-
ISOLATED