Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FGH75T65SHDT-F155 Альтернативные части: FGH75T65UPD-F085 ,FGY75N60SMD
FGH75T65SHDT-F155ON Semiconductor
В наличии: 393
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
601.575495 ₽
601.51 ₽
10
567.524025 ₽
5,675.27 ₽
100
535.400082 ₽
53,539.97 ₽
500
505.094396 ₽
252,547.25 ₽
1000
476.504107 ₽
476,504.12 ₽
Цена за единицу: 601.575495 ₽
Итоговая цена: 601.51 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 3-Pin TO-247 Tube | IGBT 650V 150A 375W TO-247AB | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | - | ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago) |
Срок поставки от производителя | 7 Weeks | - | 6 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 Variant |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 6.39g | 6.39g | 7.629g |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 650V | 600V |
Условия испытания | 400V, 75A, 3 Ω, 15V | 400V, 75A, 3 Ω, 15V | 400V, 75A, 3 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 455W | 375W | 750W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
Код соответствия REACH | not_compliant | not_compliant | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 455W | 375W | 750W |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 2.1V | 650V | 600V |
Максимальный ток сбора | 150A | 150A | 150A |
Время обратной рекомпенсации | 76 ns | 85 ns | 55 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A | 2.3V @ 15V, 75A | 2.5V @ 15V, 75A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Field Stop |
Зарядная мощность | 123nC | 578nC | 248nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 225A | 225A | 225A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 28ns/86ns | 32ns/166ns | 24ns/136ns |
Переключаемый энергопотребление | 3mJ (on), 750μJ (off) | 2.85mJ (on), 1.2mJ (off) | 2.3mJ (on), 770μJ (off) |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Серия | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Количество выводов | - | 3 | 3 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Время подъёма макс | - | 71ns | - |
Сокетная связка | - | COLLECTOR | - |
Применение транзистора | - | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Код JEDEC-95 | - | TO-247AB | - |
Время включения | - | 87 ns | 76 ns |
Время выключения (toff) | - | 197 ns | 161 ns |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 7.5V | 6.5V |
Опубликовано | - | - | 2010 |
Код ECCN | - | - | EAR99 |
Дополнительная Характеристика | - | - | LOW CONDUCTION LOSS |
Код ТН ВЭД | - | - | 8541.29.00.95 |
Время падения максимальное (tf) | - | - | 29ns |
Высота | - | - | 20.32mm |
Длина | - | - | 15.87mm |
Ширина | - | - | 4.82mm |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | - | No |
Без свинца | - | - | Lead Free |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGH75T65UPD-F085 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V 150A 375W TO-247AB | Для сравнения |
 | FGY75N60SMD | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 Variant | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins | Для сравнения |
 | STGWA80H65DFB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube | Для сравнения |
| FGH60N60UFDTU-F085 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3-Pin TO-247 Tube | Для сравнения |