FGH75T65SHDT-F155 Альтернативные части: FGH60N60UFDTU-F085 ,FGH75T65UPD-F085

FGH75T65SHDT-F155ON Semiconductor

В наличии: 393

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
601.575495 ₽
601.51 ₽
10
567.524025 ₽
5,675.27 ₽
100
535.400082 ₽
53,539.97 ₽
500
505.094396 ₽
252,547.25 ₽
1000
476.504107 ₽
476,504.12 ₽

Цена за единицу: 601.575495 ₽

Итоговая цена: 601.51 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFGH75T65SHDT-F155	иFGH60N60UFDTU-F085	иFGH75T65UPD-F085
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 3-Pin TO-247 Tube	Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3-Pin TO-247 Tube	IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)	-	-
Срок поставки от производителя	7 Weeks	4 Weeks	-
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	6.39g	6.39g	6.39g
Диэлектрический пробой напряжение	650V	600V	650V
Условия испытания	400V, 75A, 3 Ω, 15V	400V, 60A, 5 Ω, 15V	400V, 75A, 3 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	455W	298W	375W
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH	not_compliant	not_compliant	not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	455W	298W	375W
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	2.1V	2.9V	650V
Максимальный ток сбора	150A	120A	150A
Время обратной рекомпенсации	76 ns	76 ns	85 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 75A	2.9V @ 15V, 60A	2.3V @ 15V, 75A
Тип ИGBT	Trench Field Stop	Field Stop	Trench Field Stop
Зарядная мощность	123nC	192nC	578nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	225A	180A	225A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	28ns/86ns	29ns/138ns	32ns/166ns
Переключаемый энергопотребление	3mJ (on), 750μJ (off)	2.47mJ (on), 810μJ (off)	2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Серия	-	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101
Опубликовано	-	2016	-
Код JESD-609	-	e3	e3
Конечная обработка контакта	-	Tin (Sn)	Tin (Sn)
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Количество элементов	-	-	1
Количество выводов	-	-	3
Время подъёма макс	-	-	71ns
Сокетная связка	-	-	COLLECTOR
Применение транзистора	-	-	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	-	-	N-CHANNEL
Код JEDEC-95	-	-	TO-247AB
Время включения	-	-	87 ns
Время выключения (toff)	-	-	197 ns
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	-	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	-	7.5V

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGH75T65UPD-F085	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 650V 150A 375W TO-247AB	Для сравнения
FGY75N60SMD	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3 Variant	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins	Для сравнения
STGWA80H65DFB	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube	Для сравнения
FGH60N60UFDTU-F085	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3-Pin TO-247 Tube	Для сравнения