Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FGH75T65SHD-F155 Альтернативные части: FGY75N60SMD
FGH75T65SHD-F155ON Semiconductor
В наличии: 5850
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
302.197802 ₽
302.20 ₽
10
285.092266 ₽
2,850.96 ₽
100
268.954973 ₽
26,895.47 ₽
500
253.731099 ₽
126,865.52 ₽
1000
239.368970 ₽
239,368.96 ₽
Цена за единицу: 302.197802 ₽
Итоговая цена: 302.20 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | FGH75T65 Series 650 V 75 A Through Hole Field Stop Trench IGBT - TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago) |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | 6 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 Variant |
Вес | 6.39g | 7.629g |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 600V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Условия испытания | 400V, 75A, 3 Ω, 15V | 400V, 75A, 3 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Код ТН ВЭД | 8541.29.00.95 | 8541.29.00.95 |
Максимальная потеря мощности | 455W | 750W |
Положение терминала | SINGLE | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Код соответствия REACH | not_compliant | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Код JESD-30 | R-PSFM-T3 | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Входной тип | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 455W | 750W |
Применение транзистора | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 2.1V | 600V |
Максимальный ток сбора | 150A | 150A |
Время обратной рекомпенсации | 43.4 ns | 55 ns |
Код JEDEC-95 | TO-247AB | - |
Время включения | 84.8 ns | 76 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A | 2.5V @ 15V, 75A |
Время выключения (toff) | 100 ns | 161 ns |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | Field Stop |
Зарядная мощность | 123nC | 248nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 225A | 225A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 28ns/80ns | 24ns/136ns |
Переключаемый энергопотребление | 2.4mJ (on), 720μJ (off) | 2.3mJ (on), 770μJ (off) |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Количество контактов | - | 3 |
Опубликовано | - | 2010 |
Код JESD-609 | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | - | LOW CONDUCTION LOSS |
Конфигурация элемента | - | Single |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 6.5V |
Время падения максимальное (tf) | - | 29ns |
Высота | - | 20.32mm |
Длина | - | 15.87mm |
Ширина | - | 4.82mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGY75N60SMD | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 Variant | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins | Для сравнения |
 | FGH30T65UPDT-F155 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V 60A 250W TO247-3 | Для сравнения |
| FGH40T65SPD-F155 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 267W TO-247 | Для сравнения |
 | IXXH80N65B4H1 | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT | Для сравнения |