FGH40T120SMD-F155 Альтернативные части: IRG7PH42U-EP ,FGY40T120SMD

FGH40T120SMD-F155ON Semiconductor

В наличии: 30

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
847.194835 ₽
847.25 ₽
10
799.240440 ₽
7,992.45 ₽
100
754.000426 ₽
75,400.00 ₽
500
711.321099 ₽
355,660.58 ₽
1000
671.057651 ₽
671,057.69 ₽

Цена за единицу: 847.194835 ₽

Итоговая цена: 847.25 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFGH40T120SMD-F155	иIRG7PH42U-EP	иFGY40T120SMD
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies	ON Semiconductor
Описание:	IGBT 1200V 80A 555W TO247-3	IGBT 1200V 90A 385W TO247AD	IGBT 1200V 80A TO-247
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)	-	ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя	5 Weeks	14 Weeks	6 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
Количество контактов	3	3	-
Вес	6.39g	-	7.629g
Диэлектрический пробой напряжение	1.2kV	1.2kV	1.2kV
Условия испытания	600V, 40A, 10 Ω, 15V	600V, 30A, 10 Ω, 15V	600V, 40A, 10 Ω, 15V
Время отключения	475 ns	229 ns	-
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Опубликовано	2013	2004	-
Безоловая кодировка	yes	-	yes
Состояние изделия	Active	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	555W	385W	882W
Конфигурация элемента	Single	Single	-
Распад мощности	555W	385W	-
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Время задержки включения	40 ns	25 ns	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	1.2kV	2V	2.4V
Максимальный ток сбора	80A	90A	80A
Время обратной рекомпенсации	65 ns	153 ns	65 ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	1200V	1200V	1200V
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 40A	2V @ 15V, 30A	2.4V @ 15V, 40A
Максимальная температура перехода (Тj)	175°C	-	-
Прямоходящий ток коллектора	80A	-	-
Тип ИGBT	Trench Field Stop	Trench	Trench Field Stop
Зарядная мощность	370nC	157nC	370nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	160A	-	160A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	40ns/475ns	25ns/229ns	40ns/475ns
Переключаемый энергопотребление	2.7mJ (on), 1.1mJ (off)	2.11mJ (on), 1.18mJ (off)	2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	25V	-	-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	7.5V	6V	-
Высота	24.75mm	20.7mm	-
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Основной номер части	-	IRG7PH42	-
Время подъёма макс	-	41ns	-
Время падения максимальное (tf)	-	86ns	-
Длина	-	15.87mm	-
Ширина	-	5.3086mm	-
Код JESD-609	-	-	e3
Конечная обработка контакта	-	-	Tin (Sn)
Код ТН ВЭД	-	-	8541.29.00.95
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH	-	-	not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	NOT SPECIFIED
Мощность - Макс	-	-	882W

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGY40T120SMD	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 1200V 80A TO-247	Для сравнения
IRG8P50N120KD-EPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD	Для сравнения
IRG8P40N120KDPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC	Для сравнения
IRG7PH42U-EP	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 1200V 90A 385W TO247AD	Для сравнения