Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FGH40T120SMD-F155 Альтернативные части: FGY40T120SMD ,IRG8P50N120KD-EPBF
FGH40T120SMD-F155ON Semiconductor
В наличии: 30
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
847.194835 ₽
847.25 ₽
10
799.240440 ₽
7,992.45 ₽
100
754.000426 ₽
75,400.00 ₽
500
711.321099 ₽
355,660.58 ₽
1000
671.057651 ₽
671,057.69 ₽
Цена за единицу: 847.194835 ₽
Итоговая цена: 847.25 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 | IGBT 1200V 80A TO-247 | IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | - |
Срок поставки от производителя | 5 Weeks | 6 Weeks | - |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | - | - |
Вес | 6.39g | 7.629g | 6.500007g |
Диэлектрический пробой напряжение | 1.2kV | 1.2kV | 1.2kV |
Условия испытания | 600V, 40A, 10 Ω, 15V | 600V, 40A, 10 Ω, 15V | 600V, 35A, 5 Ω, 15V |
Время отключения | 475 ns | - | - |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ | -40°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Опубликовано | 2013 | - | 2014 |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 555W | 882W | 350W |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Распад мощности | 555W | - | - |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Время задержки включения | 40 ns | - | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | - | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 1.2kV | 2.4V | 2V |
Максимальный ток сбора | 80A | 80A | 50A |
Время обратной рекомпенсации | 65 ns | 65 ns | 170 ns |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 1200V | 1200V | 1200V |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A | 2.4V @ 15V, 40A | 2V @ 15V, 35A |
Максимальная температура перехода (Тj) | 175°C | - | - |
Прямоходящий ток коллектора | 80A | - | - |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | - |
Зарядная мощность | 370nC | 370nC | 315nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 160A | 160A | 105A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 40ns/475ns | 40ns/475ns | 35ns/190ns |
Переключаемый энергопотребление | 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) | 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) | 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 25V | - | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 7.5V | - | - |
Высота | 24.75mm | - | - |
Корпусировка на излучение | No | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Код JESD-609 | - | e3 | - |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | - |
Код ТН ВЭД | - | 8541.29.00.95 | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED | - |
Код соответствия REACH | - | not_compliant | unknown |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | - |
Мощность - Макс | - | 882W | - |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | - | 80A |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGY40T120SMD | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 1200V 80A TO-247 | Для сравнения |
 | IRG8P50N120KD-EPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD | Для сравнения |
 | IRG8P40N120KDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC | Для сравнения |
| IRG7PH42U-EP | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 1200V 90A 385W TO247AD | Для сравнения |