Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FGH40N60SMD-F085 Альтернативные части: STGW30NC60VD
FGH40N60SMD-F085ON Semiconductor
В наличии: 270
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
450.436896 ₽
450.41 ₽
10
424.940453 ₽
4,249.45 ₽
100
400.887225 ₽
40,088.74 ₽
500
378.195453 ₽
189,097.66 ₽
1000
356.788187 ₽
356,788.19 ₽
Цена за единицу: 450.436896 ₽
Итоговая цена: 450.41 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) |
Срок поставки от производителя | 6 Weeks | 8 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 6.39g | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Условия испытания | 400V, 40A, 6 Ω, 15V | 390V, 20A, 3.3 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | PowerMESH™ |
Опубликовано | 2016 | - |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Максимальная потеря мощности | 349W | 250W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Код соответствия REACH | not_compliant | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Сокетная связка | COLLECTOR | - |
Входной тип | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 349W | - |
Применение транзистора | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 600V |
Максимальный ток сбора | 80A | 80A |
Время обратной рекомпенсации | 47 ns | 44ns |
Код JEDEC-95 | TO-247AB | - |
Время включения | 43.7 ns | 42.5 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A | 2.5V @ 15V, 20A |
Время выключения (toff) | 172.5 ns | 280 ns |
Тип ИGBT | Field Stop | - |
Зарядная мощность | 180nC | 100nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 120A | 150A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 18ns/110ns | 31ns/100ns |
Переключаемый энергопотребление | 920μJ (on), 300μJ (off) | 220μJ (on), 330μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 6V | 5.75V |
Время падения максимальное (tf) | 81ns | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Код ECCN | - | EAR99 |
Основной номер части | - | STGW30 |
Число контактов | - | 3 |
Распад мощности | - | 250W |
Время подъема | - | 11ns |
Высота | - | 21.07mm |
Длина | - | 16.02mm |
Ширина | - | 5.15mm |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGW30H60DFB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-247 Tube | Для сравнения |
 | STGW30NC60VD | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Для сравнения |
 | IRGP6650D-EPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 50A TO247AD | Для сравнения |
| STGW60H60DLFB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 375W TO-247 | Для сравнения |