Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FGH30T65UPDT-F155 Альтернативные части: NGTB30N65IHL2WG
FGH30T65UPDT-F155ON Semiconductor
В наличии: 74
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
155.939492 ₽
155.91 ₽
10
147.112747 ₽
1,471.15 ₽
100
138.785577 ₽
13,878.57 ₽
500
130.929794 ₽
65,464.84 ₽
1000
123.518709 ₽
123,518.68 ₽
Цена за единицу: 155.939492 ₽
Итоговая цена: 155.91 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 650V 60A 250W TO247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-247 Tube |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 6.39g | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 650V |
Количество элементов | 1 | - |
Условия испытания | 400V, 30A, 8 Ω, 15V | 400V, 30A, 10 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Опубликовано | 2016 | 2014 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Конечная обработка контакта | TIN | - |
Максимальная потеря мощности | 250W | 300W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Код соответствия REACH | not_compliant | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Сокетная связка | COLLECTOR | - |
Входной тип | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 250W | 300W |
Применение транзистора | POWER CONTROL | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 650V | 650V |
Максимальный ток сбора | 60A | 60A |
Время обратной рекомпенсации | 43 ns | 430 ns |
Код JEDEC-95 | TO-247AB | - |
Время включения | 52 ns | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A | 2.2V @ 15V, 30A |
Время выключения (toff) | 170 ns | - |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
Зарядная мощность | 155nC | 135nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 90A | 120A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 22ns/139ns | -/145ns |
Переключаемый энергопотребление | 760μJ (on), 400μJ (off) | 200μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 7.5V | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGW30H60DFB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-247 Tube | Для сравнения |
 | IRGP4740DPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V TO-247 | Для сравнения |
 | NGTB30N65IHL2WG | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-247 Tube | Для сравнения |
 | STGWA30M65DF2 | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins | Для сравнения |