FGH30N6S2ON Semiconductor
В наличии: 5991
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
111.037981 ₽
110.99 ₽
10
104.752816 ₽
1,047.53 ₽
100
98.823407 ₽
9,882.28 ₽
500
93.229615 ₽
46,614.84 ₽
1000
87.952445 ₽
87,952.47 ₽
Цена за единицу: 111.037981 ₽
Итоговая цена: 110.99 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | IGBT 600V 45A 167W TO247 | IGBT 600V 42A 140W TO247 | IGBT 600V 28A 125W TO247 |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
Поставщик упаковки устройства | TO-247-3 | - | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V | 600V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 45A | - | - |
Условия испытания | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | 390V, 12A, 10 Ω, 15V | 390V, 7A, 25 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Опубликовано | 2001 | - | 2003 |
Состояние изделия | Obsolete | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 600V | - | 600V |
Максимальная потеря мощности | 167W | 140W | 125W |
Моментальный ток | 45A | - | 28A |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 167W | - | 125W |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 167W | 140W | - |
Время подъема | 10ns | - | 4.5ns |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 600V | 600V |
Максимальный ток сбора | 45A | 42A | 28A |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 600V | - | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A | 2.5V @ 15V, 12A | 2.7V @ 15V, 7A |
Зарядная мощность | 23nC | 53nC | 30nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 108A | 60A | 40A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 6ns/40ns | 25ns/97ns | 7.7ns/87ns |
Переключаемый энергопотребление | 55μJ (on), 100μJ (off) | 85μJ (on), 189μJ (off) | 25μJ (on), 58μJ (off) |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | - |
Срок поставки от производителя | - | 8 Weeks | - |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Количество элементов | - | 1 | - |
Время отключения | - | 144 ns | - |
Серия | - | PowerMESH™ | - |
Количество выводов | - | 3 | - |
Код ECCN | - | EAR99 | - |
Основной номер части | - | STGW19 | - |
Число контактов | - | 3 | - |
Код JESD-30 | - | R-PSFM-T3 | - |
Время задержки включения | - | 25 ns | - |
Применение транзистора | - | POWER CONTROL | - |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL | - |
Время обратной рекомпенсации | - | 31 ns | - |
Код JEDEC-95 | - | TO-247AC | - |
Время включения | - | 32 ns | - |
Время выключения (toff) | - | 272 ns | - |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 5.75V | - |
Корпусировка на излучение | - | No | - |