FGD2N40L Альтернативные части: SGR6N60UFTF ,SGR6N60UFTM

FGD2N40LON Semiconductor

В наличии: 24072

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
31.493393 ₽
31.46 ₽
10
29.710728 ₽
297.12 ₽
100
28.029011 ₽
2,802.88 ₽
500
26.442459 ₽
13,221.29 ₽
1000
24.945714 ₽
24,945.74 ₽

Цена за единицу: 31.493393 ₽

Итоговая цена: 31.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFGD2N40L	иSGR6N60UFTF	иSGR6N60UFTM
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	IGBT 400V 7A 29W DPAK	IGBT 600V 6A 30W DPAK	IGBT 600V 6A 30W DPAK
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	400V	600V	600V
Условия испытания	300V, 2.5A, 51 Ω, 4V	300V, 3A, 80 Ω, 15V	300V, 3A, 80 Ω, 15V
Рабочая температура	-40°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	-	-
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	29W	30W	30W
Основной номер части	FGD2N40	SG*6N60	SG*6N60
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Входной тип	Logic	Standard	Standard
Мощность - Макс	29W	-	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	400V	600V	600V
Максимальный ток сбора	7A	6A	6A
Максимальное напряжение разрушения	400V	-	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1.6V @ 2.4V, 2.5A	2.6V @ 15V, 3A	2.6V @ 15V, 3A
Зарядная мощность	11nC	15nC	15nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	29A	25A	25A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	47ns/650ns	15ns/60ns	15ns/60ns
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	600V	600V
Моментальный ток	-	3A	3A
Распад мощности	-	30W	30W
Переключаемый энергопотребление	-	57μJ (on), 25μJ (off)	57μJ (on), 25μJ (off)
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free
Вес	-	-	260.37mg

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
HGTD3N60C3S9A	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 33W TO252AA	Для сравнения
SGR6N60UFTF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 30W DPAK	Для сравнения
SGR6N60UFTM	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 30W DPAK	Для сравнения