FGA180N33ATTU Альтернативные части: FGPF50N33BTTU

FGA180N33ATTUON Semiconductor

  • FGA180N33ATTUON Semiconductor
  • FGPF50N33BTTUON SEMICONDUCTOR

В наличии: 2077

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT 330V 180A 390W TO3P
Состояние жизненного цикла
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
-
Срок поставки от производителя
44 Weeks
[object Object]
Монтаж
Through Hole
-
Вид крепления
Through Hole
-
Корпус / Кейс
TO-3P-3, SC-65-3
-
Количество контактов
3
-
Вес
6.401g
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
330V
-
Количество элементов
1
-
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tube
-
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Not For New Designs
-
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
-
Количество выводов
3
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
MATTE TIN
Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
LOW CONDUCTION LOSS
LOW CONDUCTION LOSS
Код ТН ВЭД
8541.29.00.95
-
Максимальная потеря мощности
390W
-
Конфигурация элемента
Single
-
Входной тип
Standard
-
Мощность - Макс
390W
-
Применение транзистора
POWER CONTROL
POWER CONTROL
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
330V
-
Максимальный ток сбора
180A
-
Время обратной рекомпенсации
27 ns
-
Время включения
101 ns
46 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
1.4V @ 15V, 40A
-
Время выключения (toff)
362 ns
365 ns
Тип ИGBT
Trench
-
Зарядная мощность
169nC
-
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
450A
-
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Поверхностный монтаж
-
NO
Количество терминалов
-
3
Положение терминала
-
SINGLE
Форма вывода
-
THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH
-
not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
NOT SPECIFIED
Код JESD-30
-
R-PSFM-T3
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
Operating Temperature (Max)
-
150°C
Number of Elements
-
1
Конфигурация
-
SINGLE
Код JEDEC-95
-
TO-220AB
Максимальный ток коллектора (IC)
-
50A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия
-
330V