Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FGA180N30DTU Альтернативные части: FGH50N3
FGA180N30DTUON Semiconductor
В наличии: 15404
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
444.436690 ₽
444.37 ₽
10
419.279890 ₽
4,192.86 ₽
100
395.547115 ₽
39,554.67 ₽
500
373.157569 ₽
186,578.85 ₽
1000
352.035453 ₽
352,035.44 ₽
Цена за единицу: 444.436690 ₽
Итоговая цена: 444.37 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 300V 180A 480W TO3P | Trans IGBT Chip N-CH 300V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Поставщик упаковки устройства | TO-3P | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 300V | 300V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 180A | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Состояние изделия | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 300V | 300V |
Максимальная потеря мощности | 480W | 463W |
Моментальный ток | 10A | 75A |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 480W | 463W |
Входной тип | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 480W | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300V | 300V |
Максимальный ток сбора | 180A | 75A |
Время обратной рекомпенсации | 21 ns | - |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 300V | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 1.4V @ 15V, 40A | 1.4V @ 15V, 30A |
Зарядная мощность | 185nC | 180nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 450A | 240A |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Срок поставки от производителя | - | 4 Weeks |
Вес | - | 6.39g |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 1 |
Условия испытания | - | 180V, 30A, 5 Ω, 15V |
Время отключения | - | 135 ns |
Опубликовано | - | 2002 |
Код JESD-609 | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 3 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | - | LOW CONDUCTION LOSS |
Код ТН ВЭД | - | 8541.29.00.95 |
Сокетная связка | - | COLLECTOR |
Время задержки включения | - | 20 ns |
Применение транзистора | - | POWER CONTROL |
Время подъема | - | 15ns |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL |
Время включения | - | 32 ns |
Время выключения (toff) | - | 162 ns |
Тип ИGBT | - | PT |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | - | 20ns/135ns |
Переключаемый энергопотребление | - | 130μJ (on), 92μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 5.5V |
Высота | - | 20.82mm |
Длина | - | 15.87mm |
Ширина | - | 4.82mm |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGH50N3 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 300V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | Для сравнения |
 | FGA90N30DTU | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-3P-3, SC-65-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGA90N30DTU IGBT Single Transistor, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pins | Для сравнения |
| FGA90N30TU | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT 300V 90A 219W TO3P | Для сравнения |
 | IXGQ150N30TCD1 | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT 300V 150A TO3P | Для сравнения |