FFB3904 Альтернативные части: FFB3946

FFB3904ON Semiconductor

  • FFB3904ON Semiconductor
  • FFB3946ON Semiconductor

В наличии: 454292

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    13.653942 ₽

    13.60 ₽

  • 500

    10.039684 ₽

    5,019.78 ₽

  • 1000

    8.366415 ₽

    8,366.48 ₽

  • 2000

    7.675604 ₽

    15,351.24 ₽

  • 5000

    7.173434 ₽

    35,867.17 ₽

  • 10000

    6.672981 ₽

    66,729.81 ₽

  • 15000

    6.453558 ₽

    96,803.30 ₽

  • 50000

    6.345714 ₽

    317,285.71 ₽

Цена за единицу: 13.653942 ₽

Итоговая цена: 13.60 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2NPN 40V 0.2A SC70-6
TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC70-6
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов
6
6
Вес
28mg
28mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
40V
40V
Количество элементов
2
2
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
-
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
40V
Максимальная потеря мощности
300mW
300mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
200mA
200mA
Частота
250MHz
200MHz
Основной номер части
FFB3904
FFB3946
Направленность
NPN
NPN, PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Распад мощности
300mW
300mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
250MHz
200MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
40V
Максимальный ток сбора
200mA
200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 10mA 1V
100 @ 10mA 1V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
250mV @ 1mA, 10mA
Частота перехода
250MHz
200MHz
Максимальное напряжение разрушения
40V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
5V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
Время выключения максимальное (toff)
175ns
300ns
Время включения максимальный (тон)
38ns
70ns
Высота
1.1mm
1mm
Длина
2mm
2mm
Ширина
1.25mm
1.25mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
50nA ICBO