Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS9933 Альтернативные части: IRF7307TRPBF ,IRF7301TRPBF
FDS9933ON Semiconductor
В наличии: 20000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
44.566099 ₽
44.51 ₽
10
42.043503 ₽
420.47 ₽
100
39.663681 ₽
3,966.35 ₽
500
37.418571 ₽
18,709.34 ₽
1000
35.300591 ₽
35,300.55 ₽
Цена за единицу: 44.566099 ₽
Итоговая цена: 44.51 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 187mg | - | - |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Время отключения | 40 ns | 51 ns | 32 ns |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | HEXFET® | HEXFET® |
Состояние изделия | Obsolete | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -20V | - | 20V |
Максимальная потеря мощности | 900mW | 2W | 2W |
Моментальный ток | -5A | 5.2A | 5.2A |
Конфигурация элемента | Dual | - | Dual |
Распад мощности | 2W | 2W | 2W |
Тип ТРВ | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 55m Ω @ 3.2A, 4.5V | 50m Ω @ 2.6A, 4.5V | 50m Ω @ 2.6A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.2V @ 250μA | 700mV @ 250μA | 700mV @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 825pF @ 10V | 660pF @ 15V | 660pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | 20nC @ 4.5V | 20nC @ 4.5V |
Время подъема | 46ns | 26ns | 42ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | - | - |
Время падения (тип) | 25 ns | 33 ns | 51 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 5A | 5.2A | 5.2A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -20V | 20V | 20V |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Срок поставки от производителя | - | 12 Weeks | 12 Weeks |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 5.2A 4.3A | - |
Опубликовано | - | 1997 | 1997 |
Код JESD-609 | - | e3 | - |
Количество выводов | - | 8 | 8 |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | - | 50mOhm | 50mOhm |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | - | ULTRA LOW RESISTANCE | ULTRA LOW RESISTANCE |
Положение терминала | - | DUAL | - |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Основной номер части | - | IRF7307PBF | IRF7301PBF |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - |
Пороговое напряжение | - | 700mV | 700mV |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Номинальное Vgs | - | 700 mV | 700 mV |
Высота | - | 1.4986mm | 1.4986mm |
Длина | - | 4.9784mm | 4.9784mm |
Ширина | - | 3.9878mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Интервал строк | - | - | 6.3 mm |
Время задержки включения | - | - | 9 ns |
Время восстановления | - | - | 44 ns |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STS6NF20V | STMicroelectronics | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-Ch 20 Volt 6 Amp | Для сравнения |
 | IRF7307TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7301TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC | Для сравнения |