Все продукты

Войти

Место отправки: Китай

+852-8177 7669

Главная /Каталог товаров /FDS6990A Против IRF8313PBF /

FDS6990A Альтернативные части: IRF8313PBF ,FDS8858CZ

FDS6990AON Semiconductor

В наличии: 36854

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Имя контакта

Бизнес электронная почта

Название компании

Страна

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Количество

Скрыть общие атрибуты	иFDS6990A	иIRF8313PBF	иFDS8858CZ
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies	ON Semiconductor
Описание:	Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC	Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC N T/R
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	-	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя	10 Weeks	6 Weeks	18 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	-	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	-	8
Вес	187mg	-	187mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Количество элементов	2	2	2
Время отключения	28 ns	-	33 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	-	PowerTrench®
Опубликовано	2003	2004	2006
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	-	yes
Состояние изделия	Active	Discontinued	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	18MOhm	-	17mOhm
Дополнительная Характеристика	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	-	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-	-
Максимальная потеря мощности	900mW	-	900mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	7.5A	-	-
Конфигурация элемента	Dual	-	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	1.6W	-	2W
Время задержки включения	10 ns	-	-
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)	N and P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	18m Ω @ 7.5A, 10V	15.5m Ω @ 9.7A, 10V	17m Ω @ 8.6A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2.35V @ 25μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1235pF @ 15V	760pF @ 15V	1205pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	17nC @ 5V	90nC @ 4.5V	24nC @ 10V
Время подъема	5ns	-	10ns
Время падения (тип)	5 ns	-	16 ns
Непрерывный ток стока (ID)	7.5A	-	8.6A
Пороговое напряжение	1.9V	-	1.6V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	-	25V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	-	-60V
Двухпитание напряжения	30V	-	30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Номинальное Vgs	1.9 V	-	1.6 V
Высота	1.57mm	-	1.5mm
Длина	4.9mm	-	5mm
Ширина	3.9mm	-	4mm
REACH SVHC	No SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Поверхностный монтаж	-	YES	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	-	9.7A	8.6A 7.3A
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	Tin (Sn)
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED	-
Основной номер части	-	IRF8313PBF	-
Код JESD-30	-	R-PDSO-G8	-
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	-
Конфигурация	-	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	-
Мощность - Макс	-	2W	-
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	30V	-
Код JEDEC-95	-	MS-012AA	-
Максимальный сливовой ток (ID)	-	9.7A	-
Сопротивление открытого канала-макс	-	0.0155Ohm	-
Максимальный импульсный ток вывода	-	81A	-
Минимальная напряжённость разрушения	-	30V	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	46 mJ	-
Максимальная потеря мощности (абс.)	-	2W	-
Завершение	-	-	SMD/SMT
Положение терминала	-	-	DUAL
Полярность/Тип канала	-	-	N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF8313TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC	Для сравнения
FDS6910	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC	Для сравнения
IRF8313PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC	Для сравнения
FDS8858CZ	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения