Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6986AS Альтернативные части: FDS8884 ,FDS6900AS
FDS6986ASON Semiconductor
В наличии: 10074
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
46.851607 ₽
46.84 ₽
10
44.199588 ₽
442.03 ₽
100
41.697720 ₽
4,169.78 ₽
500
39.337473 ₽
19,668.68 ₽
1000
37.110783 ₽
37,110.71 ₽
Цена за единицу: 46.851607 ₽
Итоговая цена: 46.84 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R | MOSFET Dual NCh PowerTrench |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 18 Weeks | 18 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 187mg | 130mg | 187mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6.5A 7.9A | 8.5A Ta | 6.9A 8.2A |
Количество элементов | 2 | 1 | 2 |
Время отключения | 24 ns | 42 ns | 23 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench®, SyncFET™ | PowerTrench® | PowerTrench®, SyncFET™ |
Опубликовано | 2005 | 2006 | 2005 |
Код JESD-609 | e3 | e4 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 29MOhm | - | 27MOhm |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | 30V | 30V |
Максимальная потеря мощности | 900mW | - | 2W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 7.9A | 8.5A | 8.2A |
Конфигурация элемента | Dual | Single | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2W | 2.5W | 2W |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 29m Ω @ 6.5A, 10V | 23m Ω @ 8.5A, 10V | 27m Ω @ 6.9A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.5V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 720pF @ 10V | 635pF @ 15V | 600pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 17nC @ 10V | 13nC @ 10V | 15nC @ 10V |
Время подъема | 9ns | 9ns | 4ns |
Время падения (тип) | 3 ns | 21 ns | 3 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7.9mA | 8.5A | 8.2A |
Пороговое напряжение | 1.7V | 1.7V | 1.9V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 6.5A | - | 6.9A |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | 1.5mm |
Длина | 5mm | 5mm | 5mm |
Ширина | 3.99mm | 4mm | 3.99mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin | Tin |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 2.5W Ta | - |
Дополнительная Характеристика | - | FAST SWITCHING | - |
Положение терминала | - | DUAL | - |
Время задержки включения | - | 5 ns | - |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.023Ohm | - |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 40A | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 32 mJ | - |
Завершение | - | - | SMD/SMT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | NOT SPECIFIED |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Мощность - Макс | - | - | 900mW |
Двухпитание напряжения | - | - | 30V |
Номинальное Vgs | - | - | 1.9 V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8313TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS8884 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
| FDS6900AS | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET Dual NCh PowerTrench | Для сравнения |
| FDS6982AS | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS6982AS - Dual MOSFET, Dual N Channel, 8.6 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.4 V | Для сравнения |