Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6986AS Альтернативные части: FDS6982AS ,IRF8313TRPBF
FDS6986ASON Semiconductor
В наличии: 10074
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
46.851607 ₽
46.84 ₽
10
44.199588 ₽
442.03 ₽
100
41.697720 ₽
4,169.78 ₽
500
39.337473 ₽
19,668.68 ₽
1000
37.110783 ₽
37,110.71 ₽
Цена за единицу: 46.851607 ₽
Итоговая цена: 46.84 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC | ON SEMICONDUCTOR - FDS6982AS - Dual MOSFET, Dual N Channel, 8.6 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.4 V | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 18 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 187mg | 187mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6.5A 7.9A | 6.3A 8.6A | - |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Время отключения | 24 ns | 24 ns | 8.5 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench®, SyncFET™ | PowerTrench®, SyncFET™ | HEXFET® |
Опубликовано | 2005 | 2005 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 29MOhm | 28MOhm | 15.5MOhm |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | 30V | - |
Максимальная потеря мощности | 900mW | 2W | 2W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 7.9A | 8.6A | - |
Конфигурация элемента | Dual | - | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2W | 2W | 2W |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 29m Ω @ 6.5A, 10V | 28m Ω @ 6.3A, 10V | 15.5m Ω @ 9.7A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 720pF @ 10V | 610pF @ 10V | 760pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 17nC @ 10V | 15nC @ 10V | 9nC @ 4.5V |
Время подъема | 9ns | 7ns | 9.9ns |
Время падения (тип) | 3 ns | 3 ns | 4.2 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7.9mA | 8.6A | 9.7A |
Пороговое напряжение | 1.7V | 1.9V | 1.8V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 6.5A | - | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Высота | 1.5mm | 1.75mm | 1.4986mm |
Длина | 5mm | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | 3.99mm | 3.99mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Каналов количество | - | 2 | - |
Время задержки включения | - | 12 ns | 8.3 ns |
Мощность - Макс | - | 900mW | - |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 30A | - |
Время восстановления | - | 19 ns | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
Номинальное Vgs | - | 1.4 V | 1.8 V |
Время выключения максимальное (toff) | - | 64ns | - |
Время включения максимальный (тон) | - | 34ns | - |
Основной номер части | - | - | IRF8313PBF |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | - | 46 mJ |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8313TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS8884 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
| FDS6900AS | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET Dual NCh PowerTrench | Для сравнения |
| FDS6982AS | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS6982AS - Dual MOSFET, Dual N Channel, 8.6 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.4 V | Для сравнения |