Все продукты

Войти

Место отправки: Китай

+852-8177 7669

Главная /Каталог товаров /FDS6930A Против FDS6930B /

FDS6930A Альтернативные части: FDS6930B ,FDFS6N303

FDS6930AON Semiconductor

В наличии: 2689

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Имя контакта

Бизнес электронная почта

Название компании

Страна

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Количество

Скрыть общие атрибуты	иFDS6930A	иFDS6930B	иFDFS6N303
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC	MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	-
Срок поставки от производителя	10 Weeks	10 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	187mg	-	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Количество элементов	2	2	1
Время отключения	17 ns	16 ns	13 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	PowerTrench®	-
Код JESD-609	e3	e3	-
Безоловая кодировка	yes	yes	-
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	-
Сопротивление	40mOhm	38MOhm	-
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	-	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	30V	30V
Максимальная потеря мощности	900mW	2W	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	-
Моментальный ток	5.5A	5.5A	6A
Конфигурация элемента	Dual	-	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
Распад мощности	2W	2W	2W
Время задержки включения	5 ns	6 ns	-
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	40m Ω @ 5.5A, 10V	38m Ω @ 5.5A, 10V	35m Ω @ 6A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	460pF @ 15V	412pF @ 15V	350pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	7nC @ 5V	3.8nC @ 5V	17nC @ 10V
Время подъема	8ns	6ns	12ns
Время падения (тип)	13 ns	2 ns	6 ns
Непрерывный ток стока (ID)	5.5A	5.5A	6A
Пороговое напряжение	1.5V	1.9V	1.7V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	4.6A	-	-
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Schottky Diode (Isolated)
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Опубликовано	-	2010	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED	-
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	-
Напряжение	-	30V	-
Текущий	-	55A	-
Мощность - Макс	-	900mW	-
Номинальное Vgs	-	1.9 V	-
Обратная ёмкость-Макс (Crss)	-	60 pF	-
Высота	-	1.5mm	-
Длина	-	5mm	-
Ширина	-	4mm	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	-	-	6A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	-	-	4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния	-	-	900mW Ta
Угол настройки (макс.)	-	-	±20V

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6630A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
FDS6930B	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC	Для сравнения
FDFS6N303	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC	Для сравнения
IRF9389TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO	Для сравнения