Все продукты
Место отправки: 
Китай
FDS6910 Альтернативные части: IRF8313TRPBF ,BSO119N03S
FDS6910ON Semiconductor
В наличии: 106025
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Belarus
Russia
Ukraine
China
United States
Canada
Japan
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | MOSFET, N, 30V, SO-8 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 | 1 |
Время отключения | 26 ns | 8.5 ns | 18 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | HEXFET® | OptiMOS™ |
Опубликовано | 2004 | 2008 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | - | SMD/SMT |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 13MOhm | 15.5MOhm | 16.3mOhm |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | MATTE TIN |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | - | 30V |
Максимальная потеря мощности | 1.6W | 2W | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 7.5A | - | 9A |
Напряжение | 30V | - | - |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | - |
Текущий | 75A | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.6W | 2W | 1.56W |
Время задержки включения | 9 ns | 8.3 ns | - |
Мощность - Макс | 900mW | - | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 13m Ω @ 7.5A, 10V | 15.5m Ω @ 9.7A, 10V | 11.9m Ω @ 11A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.35V @ 25μA | 2V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1130pF @ 15V | 760pF @ 15V | 1730pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 24nC @ 10V | 9nC @ 4.5V | 13nC @ 5V |
Время подъема | 5ns | 9.9ns | 3.8ns |
Время падения (тип) | 5 ns | 4.2 ns | 3.8 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7.5A | 9.7A | 9A |
Пороговое напряжение | 1.8V | 1.8V | 1.6V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | 30V | - | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
Номинальное Vgs | 1.8 V | 1.8 V | 1.6 V |
Высота | 1.5mm | 1.4986mm | - |
Длина | 5mm | 4.9784mm | - |
Ширина | 4mm | 3.9878mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Основной номер части | - | IRF8313PBF | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 46 mJ | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | - | 9A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | - | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 1.56W Ta |
Дополнительная Характеристика | - | - | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | 40 |
Число контактов | - | - | 8 |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Угол настройки (макс.) | - | - | ±20V |
Код JEDEC-95 | - | - | MS-012AA |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | - | 9A |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | - | - | 93 pF |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8313TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Для сравнения |
 | BSO119N03S | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET, N, 30V, SO-8 | Для сравнения |
| IRF8313PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS8858CZ | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |