Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6898A Альтернативные части: IRF7331TRPBF ,DMN2028USS-13
FDS6898AON Semiconductor
В наличии: 4285
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
74.960165 ₽
75.00 ₽
10
70.717143 ₽
707.14 ₽
100
66.714286 ₽
6,671.43 ₽
500
62.937995 ₽
31,468.96 ₽
1000
59.375467 ₽
59,375.41 ₽
Цена за единицу: 74.960165 ₽
Итоговая цена: 75.00 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC | 20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 12 Weeks | 16 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 187mg | - | 73.992255mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 | 1 |
Время отключения | 34 ns | 110 ns | 35.89 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | HEXFET® | - |
Опубликовано | 2017 | 2008 | 2017 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | - | - |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Сопротивление | 14MOhm | 30MOhm | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 20V | 20V | - |
Максимальная потеря мощности | 2W | 2W | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 9.4A | 7A | - |
Каналов количество | 2 | - | 1 |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2W | 2W | 1.56W |
Время задержки включения | 10 ns | 7.6 ns | 11.67 ns |
Мощность - Макс | 900mW | - | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 14m Ω @ 9.4A, 4.5V | 30m Ω @ 7A, 4.5V | 20m Ω @ 9.4A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.5V @ 250μA | 1.2V @ 250μA | 1.3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1821pF @ 10V | 1340pF @ 16V | 1000pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 23nC @ 4.5V | 20nC @ 4.5V | 11.6nC @ 4.5V |
Время подъема | 15ns | 22ns | 12.49ns |
Время падения (тип) | 16 ns | 50 ns | 12.33 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 9.4A | 7A | 9.8A |
Пороговое напряжение | 500mV | 1.2V | 1V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 20V | 20V | 20V |
Двухпитание напряжения | 20V | 20V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
Номинальное Vgs | 1 V | 1.2 V | - |
Высота | 1.75mm | 1.4986mm | 1.5mm |
Длина | 5mm | 4.9784mm | 5mm |
Ширина | 4mm | 3.9878mm | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead, Lead Free | - |
Основной номер части | - | IRF7331PBF | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 7A | 5.6A |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | - | 7.3A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | - | 1.5V 4.5V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 1.56W Ta |
Конечная обработка контакта | - | - | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | - | - | ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | 40 |
Число контактов | - | - | 8 |
Угол настройки (макс.) | - | - | ±8V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.02Ohm |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6892A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
| FDS6898AZ | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC | Для сравнения |
 | IRF7331TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC | Для сравнения |
 | DMN2028USS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8 | Для сравнения |