Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6892A Альтернативные части: IRF7401TRPBF ,FDS6898A
FDS6892AON Semiconductor
В наличии: 4514
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
63.992376 ₽
64.01 ₽
10
60.370165 ₽
603.71 ₽
100
56.952981 ₽
5,695.33 ₽
500
53.729231 ₽
26,864.56 ₽
1000
50.687967 ₽
50,687.91 ₽
Цена за единицу: 63.992376 ₽
Итоговая цена: 64.01 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R | MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC | ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 12 Weeks | 10 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 187mg | - | 187mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 1 | 2 |
Время отключения | 26 ns | 65 ns | 34 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | HEXFET® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2017 | 2004 | 2017 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | - | SMD/SMT |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 18MOhm | 22mOhm | 14MOhm |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 20V | 20V | 20V |
Максимальная потеря мощности | 2W | - | 2W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 7.5A | 8.7A | 9.4A |
Конфигурация элемента | Dual | Single | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2W | 2.5W | 2W |
Время задержки включения | 8 ns | 13 ns | 10 ns |
Мощность - Макс | 900mW | - | 900mW |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 18m Ω @ 7.5A, 4.5V | 22m Ω @ 4.1A, 4.5V | 14m Ω @ 9.4A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.5V @ 250μA | 700mV @ 250μA | 1.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1333pF @ 10V | 1600pF @ 15V | 1821pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 17nC @ 4.5V | 48nC @ 4.5V | 23nC @ 4.5V |
Время подъема | 15ns | 72ns | 15ns |
Время падения (тип) | 9 ns | 92 ns | 16 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7.5A | 8.7A | 9.4A |
Пороговое напряжение | 900mV | 700mV | 500mV |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 20V | 20V | 20V |
Максимальный импульсный ток вывода | 30A | 35A | - |
Двухпитание напряжения | 20V | 20V | 20V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
Номинальное Vgs | 900 mV | 700 mV | 1 V |
Высота | 1.5mm | 1.4986mm | 1.75mm |
Длина | 5mm | 4.9784mm | 5mm |
Ширина | 4mm | 3.9878mm | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead, Lead Free | Lead Free |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 8.7A Ta | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 2.7V 4.5V | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 2.5W Ta | - |
Дополнительная Характеристика | - | ULTRA LOW RESISTANCE | - |
Положение терминала | - | DUAL | - |
Интервал строк | - | 6.3 mm | - |
Угол настройки (макс.) | - | ±12V | - |
Каналов количество | - | - | 2 |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 150°C |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7311TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS6898AZ | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC | Для сравнения |
| IRF7401TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC | Для сравнения |
| FDS6898A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC | Для сравнения |