Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6892A Альтернативные части: FDS6898AZ ,IRF7401TRPBF
FDS6892AON Semiconductor
В наличии: 4514
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
63.992376 ₽
64.01 ₽
10
60.370165 ₽
603.71 ₽
100
56.952981 ₽
5,695.33 ₽
500
53.729231 ₽
26,864.56 ₽
1000
50.687967 ₽
50,687.91 ₽
Цена за единицу: 63.992376 ₽
Итоговая цена: 64.01 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC | MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 10 Weeks | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 187mg | 187mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 | 1 |
Время отключения | 26 ns | 34 ns | 65 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | PowerTrench® | HEXFET® |
Опубликовано | 2017 | - | 2004 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 18MOhm | 14MOhm | 22mOhm |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 20V | 20V | 20V |
Максимальная потеря мощности | 2W | 2W | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 7.5A | 9.4A | 8.7A |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2W | 2W | 2.5W |
Время задержки включения | 8 ns | 10 ns | 13 ns |
Мощность - Макс | 900mW | 900mW | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 18m Ω @ 7.5A, 4.5V | 14m Ω @ 9.4A, 4.5V | 22m Ω @ 4.1A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.5V @ 250μA | 1.5V @ 250μA | 700mV @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1333pF @ 10V | 1821pF @ 10V | 1600pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 17nC @ 4.5V | 23nC @ 4.5V | 48nC @ 4.5V |
Время подъема | 15ns | 15ns | 72ns |
Время падения (тип) | 9 ns | 16 ns | 92 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7.5A | 9.4A | 8.7A |
Пороговое напряжение | 900mV | 1V | 700mV |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 20V | 20V | 20V |
Максимальный импульсный ток вывода | 30A | - | 35A |
Двухпитание напряжения | 20V | 20V | 20V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
Номинальное Vgs | 900 mV | 1 V | 700 mV |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | 1.4986mm |
Длина | 5mm | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | 4mm | 4mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Дополнительная Характеристика | - | ESD PROTECTED | ULTRA LOW RESISTANCE |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | - | 8.7A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | - | 2.7V 4.5V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 2.5W Ta |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Интервал строк | - | - | 6.3 mm |
Угол настройки (макс.) | - | - | ±12V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7311TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS6898AZ | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC | Для сравнения |
| IRF7401TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC | Для сравнения |
| FDS6898A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC | Для сравнения |