Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6682 Альтернативные части: FDS8817NZ ,IRF8113TRPBF
FDS6682ON Semiconductor
В наличии: 20
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
57.260014 ₽
57.28 ₽
10
54.018887 ₽
540.25 ₽
100
50.961223 ₽
5,096.15 ₽
500
48.076635 ₽
24,038.32 ₽
1000
45.355247 ₽
45,355.22 ₽
Цена за единицу: 57.260014 ₽
Итоговая цена: 57.28 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 18 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOIC | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 130mg | 130mg | - |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Время отключения | 44 ns | 25 ns | 17 ns |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 2006 | 2005 |
Код JESD-609 | e4 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | - |
Завершение | SMD/SMT | - | SMD/SMT |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 7.5MOhm | - | 5.6MOhm |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Tin (Sn) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | - | 30V |
Максимальная потеря мощности | 1W | - | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | - |
Моментальный ток | 14A | - | 16.6A |
Конфигурация элемента | Single | Single | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5mW | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 10 ns | 11 ns | 13 ns |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Время подъема | 7ns | 13ns | 8.9ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | - | - |
Время падения (тип) | 16 ns | 7 ns | 3.5 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 14A | 15A | 17.2A |
Пороговое напряжение | 1.7V | 1.8V | 2.2V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | 30V | - | 30V |
Входной ёмкости | 2.31nF | - | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - |
Сопротивление стока к истоку | 5.7mOhm | - | - |
Rds на макс. | 7.5 mΩ | - | - |
Номинальное Vgs | 1.7 V | 1.8 V | 2.2 V |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | 1.4986mm |
Длина | 5mm | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | 4mm | 4mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Вид крепления | - | Surface Mount | Surface Mount |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 15A Ta | 17.2A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | - | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Рабочая температура | - | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Серия | - | PowerTrench® | HEXFET® |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Тип ТРВ | - | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | - | 7m Ω @ 15A, 10V | 5.6m Ω @ 17.2A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | - | 3V @ 250μA | 2.2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | - | 2400pF @ 15V | 2910pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | - | 45nC @ 10V | 36nC @ 4.5V |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | ±20V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.007Ohm | - |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | - | 300 pF | - |
Конфигурация | - | - | Single |
Интервал строк | - | - | 6.3 mm |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS8896 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
| FDS8817NZ | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
 | IRF8113TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | Для сравнения |
| FDS6676AS | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC | Для сравнения |