Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6676AS Альтернативные части: FDS8817NZ ,IRF8736TRPBF
FDS6676ASON Semiconductor
В наличии: 1
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
53.796387 ₽
53.85 ₽
10
50.751291 ₽
507.55 ₽
100
47.878599 ₽
4,787.91 ₽
500
45.168530 ₽
22,584.20 ₽
1000
42.611786 ₽
42,611.81 ₽
Цена за единицу: 53.796387 ₽
Итоговая цена: 53.85 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 18 Weeks | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 130mg | 130mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 14.5A Ta | 15A Ta | 18A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 43 ns | 25 ns | 13 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench®, SyncFET™ | PowerTrench® | HEXFET® |
Код JESD-609 | e4 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 6MOhm | - | 4.8MOhm |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Tin (Sn) | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 10 ns | 11 ns | 12 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 6m Ω @ 14.5A, 10V | 7m Ω @ 15A, 10V | 4.8m Ω @ 18A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 1mA | 3V @ 250μA | 2.35V @ 50μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2510pF @ 15V | 2400pF @ 15V | 2315pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 63nC @ 10V | 45nC @ 10V | 26nC @ 4.5V |
Время подъема | 12ns | 13ns | 15ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 29 ns | 7 ns | 7.5 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 14.5A | 15A | 18A |
Пороговое напряжение | 1.5V | 1.8V | 1.8V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | 1.4986mm |
Длина | 5mm | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | 4mm | 4mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Опубликовано | - | 2006 | 2007 |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.007Ohm | - |
Номинальное Vgs | - | 1.8 V | 1.8 V |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | - | 300 pF | - |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS8896 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
| FDS8817NZ | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
 | IRF8736TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8736PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin SOIC | Для сравнения |