Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6575 Альтернативные части: IRF9910PBF ,IRF8910TRPBF
FDS6575ON Semiconductor
В наличии: 13950
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
188.052308 ₽
188.05 ₽
10
177.407871 ₽
1,774.04 ₽
100
167.365879 ₽
16,736.54 ₽
500
157.892363 ₽
78,946.15 ₽
1000
148.955082 ₽
148,955.08 ₽
Цена за единицу: 188.052308 ₽
Итоговая цена: 188.05 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | - | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 130mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 10A Ta | 10A 12A | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 2.5V 4.5V | - | - |
Количество элементов | 1 | 2 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | - | - |
Время отключения | 196 ns | 15 ns | 9.7 ns |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | HEXFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2001 | 2004 | 2008 |
Код JESD-609 | e4 | - | - |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Active | Discontinued | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 13MOhm | - | 13.4MOhm |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - | - |
Дополнительная Характеристика | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -20V | 20V | 20V |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | - |
Моментальный ток | -10A | 10A | 10A |
Конфигурация элемента | Single | Dual | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2W | 2W |
Время задержки включения | 16 ns | - | 6.2 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 13m Ω @ 10A, 4.5V | 13.4m Ω @ 10A, 10V | 13.4m Ω @ 10A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.5V @ 250μA | 2.55V @ 250μA | 2.55V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 4951pF @ 10V | 900pF @ 10V | 960pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 74nC @ 4.5V | 11nC @ 4.5V | 11nC @ 4.5V |
Время подъема | 9ns | 14ns | 10ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | - | - |
Угол настройки (макс.) | ±8V | - | - |
Время падения (тип) | 78 ns | 7.5 ns | 4.1 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 10A | 12A | 10A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -20V | 20V | 20V |
Номинальное Vgs | -600 mV | 2.55 V | 2.55 V |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | 1.5mm |
Длина | 5mm | 5mm | 5mm |
Ширина | 4mm | 4mm | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Максимальная потеря мощности | - | 2W | 2W |
Основной номер части | - | IRF9910PBF | IRF8910PBF |
Пороговое напряжение | - | 2.55V | 2.55V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.0093Ohm | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Завершение | - | - | SMD/SMT |
Двухпитание напряжения | - | - | 20V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8910TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS6576 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
| IRF9910PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC | Для сравнения |