Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6375 Альтернативные части: SI9424DY ,SI7904BDN-T1-GE3
FDS6375ON Semiconductor
В наличии: 10
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
94.769231 ₽
94.78 ₽
10
89.404931 ₽
894.09 ₽
100
84.344272 ₽
8,434.48 ₽
500
79.570069 ₽
39,785.03 ₽
1000
75.066113 ₽
75,066.07 ₽
Цена за единицу: 94.769231 ₽
Итоговая цена: 94.78 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 2.5W; SO8; PowerTrench® | MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC | MOSFET Dual N-Ch 20V 30mohm @ 4.5V |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | - | 14 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 130mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 8A Ta | 8A Ta | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 2.5V 4.5V | 2.5V 4.5V | - |
Количество элементов | 1 | - | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta | - |
Время отключения | 124 ns | 98 ns | 25 ns |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | PowerTrench® | TrenchFET® |
Опубликовано | 2001 | 2007 | 2014 |
Код JESD-609 | e4 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - | 6 |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Сопротивление | 24MOhm | - | 30MOhm |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -20V | -20V | - |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Форма вывода | GULL WING | - | C BEND |
Моментальный ток | -8A | -8A | - |
Конфигурация элемента | Single | - | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 12 ns | - | 5 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | P-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | - | AMPLIFIER |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 24m Ω @ 8A, 4.5V | 24m Ω @ 8A, 4.5V | 30m Ω @ 7.1A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.5V @ 250μA | 1.5V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2694pF @ 10V | 2260pF @ 10V | 860pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 36nC @ 4.5V | 33nC @ 5V | 24nC @ 8V |
Время подъема | 9ns | 15ns | 15ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | 20V | 20V |
Угол настройки (макс.) | ±8V | ±10V | - |
Время падения (тип) | 57 ns | 35 ns | 5 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 8A | 8A | 6A |
Пороговое напряжение | -700mV | - | 1V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 10V | 8V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 8A | - | 6A |
Напряжение пробоя стока к истоку | -20V | -20V | 20V |
Двухпитание напряжения | -20V | - | - |
Номинальное Vgs | -700 mV | - | - |
Высота | 1.5mm | - | 1.04mm |
Длина | 5mm | - | 3.05mm |
Ширина | 4mm | - | 3.05mm |
REACH SVHC | No SVHC | - | Unknown |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Максимальная потеря мощности | - | - | 2.5W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | 40 |
Основной номер части | - | - | SI7904 |
Число контактов | - | - | 8 |
Код JESD-30 | - | - | S-XDSO-C6 |
Каналов количество | - | - | 2 |
Сокетная связка | - | - | DRAIN |
Мощность - Макс | - | - | 17.8W |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | - | - | Logic Level Gate |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7904BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | PowerPAK® 1212-8 Dual | MOSFET Dual N-Ch 20V 30mohm @ 4.5V | Для сравнения |
 | STS9P2UH7 | STMicroelectronics | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC | Для сравнения |
 | SI9424DY | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC | Для сравнения |