Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS4897C Альтернативные части: FDS8958A ,FDS4897AC
FDS4897CON Semiconductor
В наличии: 6001
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
136.241978 ₽
136.26 ₽
10
128.530206 ₽
1,285.30 ₽
100
121.254876 ₽
12,125.55 ₽
500
114.391360 ₽
57,195.74 ₽
1000
107.916401 ₽
107,916.35 ₽
Цена за единицу: 136.241978 ₽
Итоговая цена: 136.26 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC | MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC | MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 18 Weeks | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 187mg | - | 187mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6.2A 4.4A | 7A 5A | 6.1A 5.2A |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Время отключения | 45 ns | 14 ns | 17 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2005 | 2007 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Сопротивление | 29MOhm | 28mOhm | 26MOhm |
Максимальная потеря мощности | 900mW | 2W | 900mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 2W | 2W | 2W |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 29m Ω @ 6.2A, 10V | 28m Ω @ 7A, 10V | 26m Ω @ 6.1A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 760pF @ 20V | 575pF @ 15V | 1055pF @ 20V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 20nC @ 10V | 16nC @ 10V | 21nC @ 10V |
Время подъема | 15ns | 13ns | 3ns |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Время падения (тип) | 18 ns | 9 ns | 3 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 4.4A | 7A | 5.2A |
Пороговое напряжение | 1.9V | 1.9V | 2V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 40V | 30V | 40V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | 1.575mm |
Длина | 5mm | 5mm | 4.9mm |
Ширина | 4mm | 4mm | 3.9mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Моментальный ток | - | 7A | - |
Мощность - Макс | - | 900mW | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 7A | 6.1A |
Двухпитание напряжения | - | 30V | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 54 mJ | - |
Номинальное Vgs | - | 1.9 V | - |
Конечная обработка контакта | - | - | Tin (Sn) |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | NOT SPECIFIED |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Время задержки включения | - | - | 8 ns |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS4897AC | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO | Для сравнения |
| FDS8958B | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
 | IRF9389TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO | Для сравнения |
| FDS8958A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC | Для сравнения |