Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDD8876 Альтернативные части: NTD80N02T4 ,IRLR8726PBF
FDD8876ON Semiconductor
В наличии: 4295
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
197.646813 ₽
197.66 ₽
10
186.459231 ₽
1,864.56 ₽
100
175.904986 ₽
17,590.52 ₽
500
165.948104 ₽
82,974.04 ₽
1000
156.554794 ₽
156,554.81 ₽
Цена за единицу: 197.646813 ₽
Итоговая цена: 197.66 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | - | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 4 | 3 |
Вес | 260.37mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 15A Ta 73A Tc | 80A Tc | 86A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | - |
Максимальная мощность рассеяния | 70W Tc | 75W Tc | 75W Tc |
Время отключения | 44 ns | 28 ns | 15 ns |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
Серия | PowerTrench® | - | HEXFET® |
Код JESD-609 | e3 | e0 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 | - |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn80Pb20) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | 24V | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | - |
Моментальный ток | 73A | 80A | - |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 70W | 75W | 75W |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN | - |
Время задержки включения | 8 ns | - | 12 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 8.2m Ω @ 35A, 10V | 5.8m Ω @ 80A, 10V | 5.8m Ω @ 25A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 3V @ 250μA | 2.35V @ 50μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1700pF @ 15V | 2600pF @ 20V | 2150pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 47nC @ 10V | 42nC @ 4.5V | 23nC @ 4.5V |
Время подъема | 91ns | 67ns | 49ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 37 ns | 40 ns | 16 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 73A | 80A | 86A |
Код JEDEC-95 | TO-252AA | - | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 24V | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 95 mJ | 733 mJ | - |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | Non-RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Опубликовано | - | 2008 | 2004 |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 240 | - |
Код соответствия REACH | - | not_compliant | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 30 | - |
Число контактов | - | 4 | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.0058Ohm | - |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 200A | - |
Завершение | - | - | SMD/SMT |
Сопротивление | - | - | 5.8MOhm |
Пороговое напряжение | - | - | 1.8V |
Двухпитание напряжения | - | - | 30V |
Время восстановления | - | - | 36 ns |
Номинальное Vgs | - | - | 1.8 V |
Высота | - | - | 2.3876mm |
Длина | - | - | 6.7056mm |
Ширина | - | - | 6.22mm |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLR8726PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | Для сравнения |
| IRLR8726TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | Для сравнения |
| IRLR8726TRLPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | Для сравнения |
 | NTD80N02T4 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | Для сравнения |