Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDD8876 Альтернативные части: IRLR8726TRLPBF ,NTD80N02T4
FDD8876ON Semiconductor
В наличии: 4295
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
197.646813 ₽
197.66 ₽
10
186.459231 ₽
1,864.56 ₽
100
175.904986 ₽
17,590.52 ₽
500
165.948104 ₽
82,974.04 ₽
1000
156.554794 ₽
156,554.81 ₽
Цена за единицу: 197.646813 ₽
Итоговая цена: 197.66 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | - | OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 12 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 3 | 4 |
Вес | 260.37mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 15A Ta 73A Tc | 86A Tc | 80A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 70W Tc | 75W Tc | 75W Tc |
Время отключения | 44 ns | 15 ns | 28 ns |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | HEXFET® | - |
Код JESD-609 | e3 | - | e0 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | - | 2 |
Код ECCN | EAR99 | - | - |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - | Tin/Lead (Sn80Pb20) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | - | 24V |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Моментальный ток | 73A | - | 80A |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | - | R-PSSO-G2 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 70W | 75W | 75W |
Сокетная связка | DRAIN | - | DRAIN |
Время задержки включения | 8 ns | 12 ns | - |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 8.2m Ω @ 35A, 10V | 5.8mOhm @ 25A, 10V | 5.8m Ω @ 80A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 2.35V @ 50μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1700pF @ 15V | 2150pF @ 15V | 2600pF @ 20V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 47nC @ 10V | 23nC @ 4.5V | 42nC @ 4.5V |
Время подъема | 91ns | 49ns | 67ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 37 ns | 16 ns | 40 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 73A | 86A | 80A |
Код JEDEC-95 | TO-252AA | - | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 12V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 24V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 95 mJ | - | 733 mJ |
Корпусировка на излучение | No | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | Non-RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Поставщик упаковки устройства | - | D-Pak | - |
Опубликовано | - | 2005 | 2008 |
Максимальная рабочая температура | - | 175°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | - |
Входной ёмкости | - | 2.15nF | - |
Сопротивление стока к истоку | - | 5.8mOhm | - |
Rds на макс. | - | 5.8 mΩ | - |
Высота | - | 2.26mm | - |
Длина | - | 6.7056mm | - |
Ширина | - | 6.22mm | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | 240 |
Код соответствия REACH | - | - | not_compliant |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | 30 |
Число контактов | - | - | 4 |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.0058Ohm |
Максимальный импульсный ток вывода | - | - | 200A |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLR8726PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | Для сравнения |
| IRLR8726TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | Для сравнения |
| IRLR8726TRLPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | Для сравнения |
 | NTD80N02T4 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | Для сравнения |