FDD8876 Альтернативные части: IRLR8726PBF ,IRLR8726TRPBF

FDD8876ON Semiconductor

В наличии: 4295

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
197.646813 ₽
197.66 ₽
10
186.459231 ₽
1,864.56 ₽
100
175.904986 ₽
17,590.52 ₽
500
165.948104 ₽
82,974.04 ₽
1000
156.554794 ₽
156,554.81 ₽

Цена за единицу: 197.646813 ₽

Итоговая цена: 197.66 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDD8876	иIRLR8726PBF	иIRLR8726TRPBF
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)	-	-
Срок поставки от производителя	10 Weeks	12 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	3	3	3
Вес	260.37mg	-	-
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	15A Ta 73A Tc	86A Tc	86A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	-	1
Максимальная мощность рассеяния	70W Tc	75W Tc	75W Tc
Время отключения	44 ns	15 ns	15 ns
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	HEXFET®	HEXFET®
Код JESD-609	e3	-	e3
Безоловая кодировка	yes	-	-
Состояние изделия	Active	Discontinued	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	-	2
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-	-
Форма вывода	GULL WING	-	GULL WING
Моментальный ток	73A	-	-
Код JESD-30	R-PSSO-G2	-	R-PSSO-G2
Конфигурация элемента	Single	Single	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	70W	75W	75W
Сокетная связка	DRAIN	-	DRAIN
Время задержки включения	8 ns	12 ns	12 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	8.2m Ω @ 35A, 10V	5.8m Ω @ 25A, 10V	5.8m Ω @ 25A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	2.35V @ 50μA	2.35V @ 50μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1700pF @ 15V	2150pF @ 15V	2150pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	47nC @ 10V	23nC @ 4.5V	23nC @ 4.5V
Время подъема	91ns	49ns	49ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	37 ns	16 ns	16 ns
Непрерывный ток стока (ID)	73A	86A	86A
Код JEDEC-95	TO-252AA	-	TO-252AA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	12V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	95 mJ	-	-
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Опубликовано	-	2004	2007
Завершение	-	SMD/SMT	-
Сопротивление	-	5.8MOhm	-
Пороговое напряжение	-	1.8V	-
Двухпитание напряжения	-	30V	-
Время восстановления	-	36 ns	-
Номинальное Vgs	-	1.8 V	-
Высота	-	2.3876mm	2.3876mm
Длина	-	6.7056mm	6.7056mm
Ширина	-	6.22mm	6.22mm
REACH SVHC	-	No SVHC	-
Положение терминала	-	-	SINGLE
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	30
Конфигурация	-	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Сопротивление открытого канала-макс	-	-	0.058Ohm

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRLR8726PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK	Для сравнения
IRLR8726TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK	Для сравнения
IRLR8726TRLPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK	Для сравнения
NTD80N02T4	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 24V 80A DPAK	Для сравнения