FAN73832N Альтернативные части: TC4426CPA ,IXDN602PI

FAN73832NON Semiconductor

  • FAN73832NON Semiconductor
  • TC4426CPAMicrochip Technology
  • IXDN602PIIXYS Integrated Circuits Division

В наличии: 1739

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    78.696827 ₽

    78.71 ₽

  • 10

    74.242280 ₽

    742.45 ₽

  • 100

    70.039890 ₽

    7,003.98 ₽

  • 500

    66.075343 ₽

    33,037.64 ₽

  • 1000

    62.335220 ₽

    62,335.16 ₽

Цена за единицу: 78.696827 ₽

Итоговая цена: 78.71 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IC, DRIVER, GATE HALF BRIDGE, DIP8
TC4426CPA Dual MOSFET Power Driver 1.5A4.5 to 18V Inverting 8-Pin PDIP
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
8-DIP (0.300, 7.62mm)
8-DIP (0.300, 7.62mm)
8-DIP (0.300, 7.62mm)
Количество контактов
8
8
8
Вес
851mg
-
-
Настройка драйвера
Half-Bridge
Low-Side
Low-Side
Логическое напряжение-ниже-уровня, выше-уровня
1.2V 2.9V
0.8V 2.4V
0.8V 3V
Рабочая температура
-40°C~150°C TJ
0°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Obsolete
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Завершение
Through Hole
-
-
Максимальная потеря мощности
1.25W
730mW
-
Напряжение - Питание
15V~20V
4.5V~18V
4.5V~35V
Основной номер части
FAN73832
TC4426
-
Выводной напряжение
620V
18V
-
Максимальный выходной ток
650mA
1.5A
2A
Номинальный ток питания
850μA
4.5mA
-
Распад мощности
1.25W
730mW
-
Ток выпуска
350mA
1.5A
-
Максимальный текущий ток подачи
850μA
4.5mA
-
Задержка распространения
730 ns
50 ns
60 ns
Входной тип
Non-Inverting
Inverting
Non-Inverting
Время задержки включения
730 ns
50 ns
-
Время подъема
100ns
20ns
15ns
Время падения (тип)
80 ns
30 ns
15 ns
Время подъёма / падения (тип)
50ns 30ns
19ns 19ns
7.5ns 6.5ns
Канальный тип
Synchronous
Independent
Independent
Количество драйверов
2
-
2
Вид входа
IGBT, N-Channel MOSFET
N-Channel, P-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Ток - Пиковый выход (Исток, Сток)
350mA 650mA
1.5A 1.5A
2A 2A
Напряжение на высокой стороне - макс.
600V
-
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Срок поставки от производителя
-
5 Weeks
8 Weeks
Уровень применения
-
Commercial grade
-
Опубликовано
-
2006
2004
Код JESD-609
-
e3
-
Количество выводов
-
8
-
Код ECCN
-
EAR99
-
Сопротивление
-
12Ohm
-
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
-
Положение терминала
-
DUAL
-
Количество функций
-
2
-
Число контактов
-
8
-
Количество выходов
-
2
2
Максимальная выходная напряжение
-
17.975V
-
Тип интерфейсного микросхемы
-
BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
-
Ток смещения входа
-
10μA
-
Время включения
-
0.04 μs
-
Моментальный пиковый лимит текущего выхода
-
1.5A
-
Верхний драйвер
-
YES
-
Время выключения
-
0.06 μs
-
Высота
-
4.06mm
-
Длина
-
10.16mm
-
Ширина
-
6.6mm
-
Поставщик упаковки устройства
-
-
8-DIP
Максимальная рабочая температура
-
-
125°C
Минимальная температура работы
-
-
-40°C
Каналов количество
-
-
2
Максимальная напряжённость питания
-
-
35V
Минимальная подача напряжения
-
-
4.5V