ESH2D-E3/5BT Альтернативные части: ES2D-13-F ,ES2A-13-F

ESH2D-E3/5BTVishay Semiconductor Diodes Division

В наличии: 20699

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
40.972291 ₽
40.92 ₽
10
38.653059 ₽
386.59 ₽
100
36.465237 ₽
3,646.51 ₽
500
34.401117 ₽
17,200.56 ₽
1000
32.453855 ₽
32,453.91 ₽

Цена за единицу: 40.972291 ₽

Итоговая цена: 40.92 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иESH2D-E3/5BT	иES2D-13-F	иES2A-13-F
Производитель:	Vishay Semiconductor Diodes Division	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA	DIODE GEN PURP 200V 2A SMB	DIODE GEN PURP 50V 2A SMB
Срок поставки от производителя	22 Weeks	10 Weeks	10 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Stud, Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	DO-214AA, SMB	DO-214AA, SMB	DO-214AA, SMB
Количество контактов	2	2	2
Материал диодного элемента	SILICON	SILICON	SILICON
Количество элементов	1	1	1
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2014	2010	2017
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	no	no
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2	2
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная рабочая температура	175°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Применение	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY
Дополнительная Характеристика	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	-	-
Код ТН ВЭД	8541.10.00.80	8541.10.00.80	8541.10.00.80
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	C BEND	C BEND	C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	40	40
Основной номер части	ESH2D	ES2D	ES2A
Число контактов	2	2	2
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип диода	Standard	Standard	Standard
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr	2μA @ 200V	5μA @ 200V	5μA @ 50V
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If	930mV @ 2A	920mV @ 2A	920mV @ 2A
Напряжённая мощность	2A	2A	2A
Температура работы - переходная	-55°C~175°C	-55°C~150°C	-55°C~150°C
Максимальный импульсный ток	60A	50A	50A
Выводная мощность-макс	2A	-	-
Напряжение включения	930mV	920mV	920mV
Максимальное обратное напряжение (постоянное)	200V	200V	50V
Средний выпрямленный ток	2A	2A	2A
Количество фаз	1	1	1
Время обратной рекомпенсации	25 ns	25 ns	25 ns
Пиковая обратная токовая сила	2μA	5μA	5μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)	200V	200V	50V
Пиковый нерегулярный импульсный ток	60A	50A	50A
Обратная напряжение	200V	-	-
Время восстановления	25 ns	25 ns	25 ns
Высота	2.24mm	2.42mm	2.42mm
Длина	4.57mm	4.57mm	4.57mm
Ширина	3.94mm	3.94mm	3.94mm
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Вес	-	92.986436mg	92.986436mg
Завершение	-	SMD/SMT	SMD/SMT
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Капацитивность	-	25pF	25pF
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	200V	50V
Моментальный ток	-	2A	2A
Ток выпуска	-	2A	2A
Емкость @ Vr, Ф	-	25pF @ 4V 1MHz	25pF @ 4V 1MHz
Обратная напряжение (DC)	-	200V	50V
Естественное тепловое сопротивление	-	20 °C/W	-
Без свинца	-	Lead Free	Exempt

Диоды - Выпрямители - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ES2B-13-F	Diodes Incorporated	Диоды - Выпрямители - Одиночные	DO-214AA, SMB	DIODE GEN PURP 100V 2A SMB	Для сравнения
ES2D-13-F	Diodes Incorporated	Диоды - Выпрямители - Одиночные	DO-214AA, SMB	DIODE GEN PURP 200V 2A SMB	Для сравнения
ES2A-13-F	Diodes Incorporated	Диоды - Выпрямители - Одиночные	DO-214AA, SMB	DIODE GEN PURP 50V 2A SMB	Для сравнения
ESH2C-E3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	Диоды - Выпрямители - Одиночные	DO-214AA, SMB	DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA	Для сравнения