ESH2D-E3/5BTVishay Semiconductor Diodes Division
В наличии: 20699
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
40.972291 ₽
40.92 ₽
10
38.653059 ₽
386.59 ₽
100
36.465237 ₽
3,646.51 ₽
500
34.401117 ₽
17,200.56 ₽
1000
32.453855 ₽
32,453.91 ₽
Цена за единицу: 40.972291 ₽
Итоговая цена: 40.92 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | DIODE GEN PURP 100V 2A SMB | DIODE GEN PURP 200V 2A SMB |
Срок поставки от производителя | 22 Weeks | 10 Weeks | 10 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Stud, Surface Mount | Stud, Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB |
Количество контактов | 2 | 2 | 2 |
Материал диодного элемента | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2011 | 2010 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | no | no |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 | 2 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная рабочая температура | 175°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Применение | EFFICIENCY | EFFICIENCY | EFFICIENCY |
Дополнительная Характеристика | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS | - | - |
Код ТН ВЭД | 8541.10.00.80 | 8541.10.00.80 | 8541.10.00.80 |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | C BEND | C BEND | C BEND |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 40 | 40 |
Основной номер части | ESH2D | ES2B | ES2D |
Число контактов | 2 | 2 | 2 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Тип диода | Standard | Standard | Standard |
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr | 2μA @ 200V | 5μA @ 100V | 5μA @ 200V |
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If | 930mV @ 2A | 920mV @ 2A | 920mV @ 2A |
Напряжённая мощность | 2A | 2A | 2A |
Температура работы - переходная | -55°C~175°C | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
Максимальный импульсный ток | 60A | 50A | 50A |
Выводная мощность-макс | 2A | - | - |
Напряжение включения | 930mV | 920mV | 920mV |
Максимальное обратное напряжение (постоянное) | 200V | 100V | 200V |
Средний выпрямленный ток | 2A | 2A | 2A |
Количество фаз | 1 | 1 | 1 |
Время обратной рекомпенсации | 25 ns | 25 ns | 25 ns |
Пиковая обратная токовая сила | 2μA | 5μA | 5μA |
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм) | 200V | 100V | 200V |
Пиковый нерегулярный импульсный ток | 60A | 50A | 50A |
Обратная напряжение | 200V | - | - |
Время восстановления | 25 ns | 25 ns | 25 ns |
Высота | 2.24mm | 2.42mm | 2.42mm |
Длина | 4.57mm | 4.57mm | 4.57mm |
Ширина | 3.94mm | 3.94mm | 3.94mm |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Вес | - | 92.986436mg | 92.986436mg |
Завершение | - | SMD/SMT | SMD/SMT |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Капацитивность | - | 25pF | 25pF |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 100V | 200V |
Моментальный ток | - | 2A | 2A |
Ток выпуска | - | 2A | 2A |
Емкость @ Vr, Ф | - | 25pF @ 4V 1MHz | 25pF @ 4V 1MHz |
Обратная напряжение (DC) | - | 100V | 200V |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Естественное тепловое сопротивление | - | - | 20 °C/W |