Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ESH2C-E3/52T Альтернативные части: ESH2D-E3/5BT
ESH2C-E3/52TVishay Semiconductor Diodes Division
В наличии: 4880
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
40.972291 ₽
40.92 ₽
10
38.653059 ₽
386.59 ₽
100
36.465237 ₽
3,646.51 ₽
500
34.401117 ₽
17,200.56 ₽
1000
32.453855 ₽
32,453.91 ₽
Цена за единицу: 40.972291 ₽
Итоговая цена: 40.92 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB |
Количество контактов | 2 | 2 |
Материал диодного элемента | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 1 | 1 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2016 | 2014 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - |
Максимальная рабочая температура | 175°C | 175°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Применение | EFFICIENCY | EFFICIENCY |
Дополнительная Характеристика | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS |
Код ТН ВЭД | 8541.10.00.80 | 8541.10.00.80 |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | C BEND | C BEND |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 |
Основной номер части | ESH2C | ESH2D |
Число контактов | 2 | 2 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Тип диода | Standard | Standard |
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr | 2μA @ 150V | 2μA @ 200V |
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If | 930mV @ 2A | 930mV @ 2A |
Напряжённая мощность | 2A | 2A |
Температура работы - переходная | -55°C~175°C | -55°C~175°C |
Максимальный импульсный ток | 60A | 60A |
Выводная мощность-макс | 2A | 2A |
Напряжение включения | 930mV | 930mV |
Максимальное обратное напряжение (постоянное) | 150V | 200V |
Средний выпрямленный ток | 2A | 2A |
Количество фаз | 1 | 1 |
Время обратной рекомпенсации | 25 ns | 25 ns |
Пиковая обратная токовая сила | 2μA | 2μA |
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм) | 150V | 200V |
Пиковый нерегулярный импульсный ток | 60A | 60A |
Обратная напряжение | 150V | 200V |
Время восстановления | 25 ns | 25 ns |
Высота | 2.24mm | 2.24mm |
Длина | 4.57mm | 4.57mm |
Ширина | 3.94mm | 3.94mm |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Срок поставки от производителя | - | 22 Weeks |
Покрытие контактов | - | Tin |
Диоды - Выпрямители - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ESH2D-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | Диоды - Выпрямители - Одиночные | DO-214AA, SMB | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | Для сравнения |
 | ES2B-13-F | Diodes Incorporated | Диоды - Выпрямители - Одиночные | DO-214AA, SMB | DIODE GEN PURP 100V 2A SMB | Для сравнения |
| ES2D-13-F | Diodes Incorporated | Диоды - Выпрямители - Одиночные | DO-214AA, SMB | DIODE GEN PURP 200V 2A SMB | Для сравнения |
| ES2A-13-F | Diodes Incorporated | Диоды - Выпрямители - Одиночные | DO-214AA, SMB | DIODE GEN PURP 50V 2A SMB | Для сравнения |