Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ES2D-13-F Альтернативные части: ES2A-13-F
ES2D-13-FDiodes Incorporated
В наличии: 652
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
6.830447 ₽
6.84 ₽
10
6.443813 ₽
64.39 ₽
100
6.079078 ₽
607.96 ₽
500
5.734972 ₽
2,867.46 ₽
1000
5.410349 ₽
5,410.34 ₽
Цена за единицу: 6.830447 ₽
Итоговая цена: 6.84 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | DIODE GEN PURP 200V 2A SMB | DIODE GEN PURP 50V 2A SMB |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Stud, Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB |
Количество контактов | 2 | 2 |
Вес | 92.986436mg | 92.986436mg |
Материал диодного элемента | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 1 | 1 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2010 | 2017 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | no | no |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 |
Завершение | SMD/SMT | SMD/SMT |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Применение | EFFICIENCY | EFFICIENCY |
Код ТН ВЭД | 8541.10.00.80 | 8541.10.00.80 |
Капацитивность | 25pF | 25pF |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 200V | 50V |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | C BEND | C BEND |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 2A | 2A |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | ES2D | ES2A |
Число контактов | 2 | 2 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Тип диода | Standard | Standard |
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr | 5μA @ 200V | 5μA @ 50V |
Ток выпуска | 2A | 2A |
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If | 920mV @ 2A | 920mV @ 2A |
Напряжённая мощность | 2A | 2A |
Температура работы - переходная | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
Максимальный импульсный ток | 50A | 50A |
Напряжение включения | 920mV | 920mV |
Максимальное обратное напряжение (постоянное) | 200V | 50V |
Средний выпрямленный ток | 2A | 2A |
Количество фаз | 1 | 1 |
Время обратной рекомпенсации | 25 ns | 25 ns |
Пиковая обратная токовая сила | 5μA | 5μA |
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм) | 200V | 50V |
Емкость @ Vr, Ф | 25pF @ 4V 1MHz | 25pF @ 4V 1MHz |
Пиковый нерегулярный импульсный ток | 50A | 50A |
Время восстановления | 25 ns | 25 ns |
Обратная напряжение (DC) | 200V | 50V |
Естественное тепловое сопротивление | 20 °C/W | - |
Высота | 2.42mm | 2.42mm |
Длина | 4.57mm | 4.57mm |
Ширина | 3.94mm | 3.94mm |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Exempt |
Диоды - Выпрямители - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ESH2D-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | Диоды - Выпрямители - Одиночные | DO-214AA, SMB | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | Для сравнения |
 | ES2B-13-F | Diodes Incorporated | Диоды - Выпрямители - Одиночные | DO-214AA, SMB | DIODE GEN PURP 100V 2A SMB | Для сравнения |
| ES2A-13-F | Diodes Incorporated | Диоды - Выпрямители - Одиночные | DO-214AA, SMB | DIODE GEN PURP 50V 2A SMB | Для сравнения |
| ES2C-13-F | Diodes Incorporated | Диоды - Выпрямители - Одиночные | DO-214AA, SMB | DIODE GEN PURP 150V 2A SMB | Для сравнения |