ES2B-13-F Альтернативные части: ES2A-13-F ,ES2C-13-F

ES2B-13-FDiodes Incorporated

В наличии: 17

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
15.489106 ₽
15.50 ₽
10
14.612360 ₽
146.09 ₽
100
13.785251 ₽
1,378.49 ₽
500
13.004958 ₽
6,502.51 ₽
1000
12.268827 ₽
12,268.85 ₽

Цена за единицу: 15.489106 ₽

Итоговая цена: 15.50 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иES2B-13-F	иES2A-13-F	иES2C-13-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	DIODE GEN PURP 100V 2A SMB	DIODE GEN PURP 50V 2A SMB	DIODE GEN PURP 150V 2A SMB
Срок поставки от производителя	10 Weeks	10 Weeks	10 Weeks
Монтаж	Stud, Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	DO-214AA, SMB	DO-214AA, SMB	DO-214AA, SMB
Количество контактов	2	2	2
Вес	92.986436mg	92.986436mg	92.986436mg
Материал диодного элемента	SILICON	SILICON	SILICON
Количество элементов	1	1	1
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2017	2011
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	no	no	no
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2	2
Завершение	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Применение	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY
Код ТН ВЭД	8541.10.00.80	8541.10.00.80	8541.10.00.80
Капацитивность	25pF	25pF	25pF
Ток постоянного напряжения - номинальный	100V	50V	150V
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	C BEND	C BEND	C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	2A	2A	2A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	ES2B	ES2A	ES2C
Число контактов	2	2	2
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип диода	Standard	Standard	Standard
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr	5μA @ 100V	5μA @ 50V	5μA @ 150V
Ток выпуска	2A	2A	2A
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If	920mV @ 2A	920mV @ 2A	920mV @ 2A
Напряжённая мощность	2A	2A	2A
Температура работы - переходная	-55°C~150°C	-55°C~150°C	-55°C~150°C
Максимальный импульсный ток	50A	50A	50A
Напряжение включения	920mV	920mV	920mV
Максимальное обратное напряжение (постоянное)	100V	50V	150V
Средний выпрямленный ток	2A	2A	2A
Количество фаз	1	1	1
Время обратной рекомпенсации	25 ns	25 ns	25 ns
Пиковая обратная токовая сила	5μA	5μA	5μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)	100V	50V	150V
Емкость @ Vr, Ф	25pF @ 4V 1MHz	25pF @ 4V 1MHz	25pF @ 4V 1MHz
Пиковый нерегулярный импульсный ток	50A	50A	50A
Время восстановления	25 ns	25 ns	25 ns
Обратная напряжение (DC)	100V	50V	150V
Высота	2.42mm	2.42mm	2.42mm
Длина	4.57mm	4.57mm	4.57mm
Ширина	3.94mm	3.94mm	3.94mm
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Exempt	Exempt

Диоды - Выпрямители - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ESH2D-E3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	Диоды - Выпрямители - Одиночные	DO-214AA, SMB	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA	Для сравнения
ES2D-13-F	Diodes Incorporated	Диоды - Выпрямители - Одиночные	DO-214AA, SMB	DIODE GEN PURP 200V 2A SMB	Для сравнения
ES2A-13-F	Diodes Incorporated	Диоды - Выпрямители - Одиночные	DO-214AA, SMB	DIODE GEN PURP 50V 2A SMB	Для сравнения
ES2C-13-F	Diodes Incorporated	Диоды - Выпрямители - Одиночные	DO-214AA, SMB	DIODE GEN PURP 150V 2A SMB	Для сравнения