EPC8010 Альтернативные части: DMN10H170SVTQ-7 ,DMN10H170SFDE-7

EPC8010EPC

В наличии: 5971

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
294.551319 ₽
294.51 ₽
10
277.878558 ₽
2,778.85 ₽
100
262.149615 ₽
26,214.97 ₽
500
247.310948 ₽
123,655.49 ₽
1000
233.312280 ₽
233,312.23 ₽

Цена за единицу: 294.551319 ₽

Итоговая цена: 294.51 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иEPC8010	иDMN10H170SVTQ-7	иDMN10H170SFDE-7
Производитель:	EPC	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE	MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26	MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Срок поставки от производителя	12 Weeks	18 Weeks	17 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	Die	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	6-UDFN Exposed Pad
Поставщик упаковки устройства	Die	-	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	2.7A Ta	2.6A Ta	2.9A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	5V	4.5V 10V	4.5V 10V
Рабочая температура	-40°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	eGaN®	-	-
Опубликовано	2014	2015	2015
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура	150°C	-	-
Минимальная температура работы	-40°C	-	-
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	160mOhm @ 500mA, 5V	160m Ω @ 5A, 10V	160m Ω @ 5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	3V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	55pF @ 50V	1167pF @ 25V	1167pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	0.48nC @ 5V	9.7nC @ 10V	9.7nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)	100V	100V	100V
Угол настройки (макс.)	+6V, -4V	±20V	±20V
Непрерывный ток стока (ID)	2.7A	2.6A	2.9A
Входной ёмкости	55pF	-	-
Rds на макс.	160 mΩ	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Максимальная мощность рассеяния	-	1.2W Ta	660mW Ta
Код JESD-609	-	e3	e4
Безоловая кодировка	-	yes	-
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMHC10H170SFJ-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	12-VDFN Exposed Pad	MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12	Для сравнения
DMN10H170SVTQ-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26	Для сравнения
DMN10H170SFDE-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-UDFN Exposed Pad	MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN	Для сравнения