EMD30T2R Альтернативные части: 2SD2703TL ,2SD2657KT146

EMD30T2RROHM Semiconductor

  • EMD30T2RROHM Semiconductor
  • 2SD2703TLROHM Semiconductor
  • 2SD2657KT146ROHM Semiconductor

В наличии: 5210

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    12.522266 ₽

    12.50 ₽

  • 10

    11.813420 ₽

    118.13 ₽

  • 100

    11.144780 ₽

    1,114.42 ₽

  • 500

    10.513942 ₽

    5,257.01 ₽

  • 1000

    9.918805 ₽

    9,918.82 ₽

Цена за единицу: 12.522266 ₽

Итоговая цена: 12.50 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
TRANS NPN 30V 1A TUMT3
TRANS NPN 30V 1.5A SOT-346
Срок поставки от производителя
10 Weeks
13 Weeks
13 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SMD/SMT
3-SMD, Flat Lead
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
6
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
30V
Количество элементов
2
1
1
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2013
1998
Код JESD-609
e2
e2
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Not For New Designs
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN COPPER
TIN COPPER
TIN SILVER COPPER
Максимальная рабочая температура
150°C
-
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
-
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
-
-
Максимальная потеря мощности
150mW
800mW
200mW
Форма вывода
FLAT
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
10
Число контактов
6
3
3
Направленность
NPN, PNP
-
-
Конфигурация элемента
Dual
Single
Single
Распад мощности
150mW
-
200mW
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
30V
30V
Максимальный ток сбора
200mA
1A
1.5A
Частота перехода
260MHz
320MHz
330MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
30V
30V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
30
-
-
Прямоходящий ток коллектора
-200mA
-
1.5A
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Copper, Tin
Copper, Silver, Tin
Вид крепления
-
Surface Mount
Surface Mount
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Минимальная частота работы в герцах
-
270
270
Рабочая температура
-
150°C TJ
150°C TJ
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
-
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Основной номер части
-
2SD2703
2SD2657
Продуктивность полосы частот
-
320MHz
330MHz
Полярность/Тип канала
-
NPN
NPN
Тип транзистора
-
NPN
NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
270 @ 100mA 2V
270 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
350mV @ 25mA, 500mA
350mV @ 50mA, 1A
Максимальная частота
-
100MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
30V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
6V
6V
Высота
-
820μm
1mm
Длина
-
2.1mm
2.9mm
Ширина
-
1.8mm
1.6mm
Завершение
-
-
SMD/SMT
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
30V
Моментальный ток
-
-
1.5A
Частота
-
-
330MHz
REACH SVHC
-
-
No SVHC