EMD30T2R Альтернативные части: 2SB1733TL ,2SD2703TL

EMD30T2RROHM Semiconductor

  • EMD30T2RROHM Semiconductor
  • 2SB1733TLROHM Semiconductor
  • 2SD2703TLROHM Semiconductor

В наличии: 5210

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    12.522266 ₽

    12.50 ₽

  • 10

    11.813420 ₽

    118.13 ₽

  • 100

    11.144780 ₽

    1,114.42 ₽

  • 500

    10.513942 ₽

    5,257.01 ₽

  • 1000

    9.918805 ₽

    9,918.82 ₽

Цена за единицу: 12.522266 ₽

Итоговая цена: 12.50 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
TRANS PNP 30V 1A TUMT3
TRANS NPN 30V 1A TUMT3
Срок поставки от производителя
10 Weeks
13 Weeks
13 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SMD/SMT
3-SMD, Flat Lead
3-SMD, Flat Lead
Количество контактов
6
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
30V
Количество элементов
2
1
1
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2013
2013
Код JESD-609
e2
e2
e2
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Not For New Designs
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN COPPER
Tin/Copper (Sn/Cu)
TIN COPPER
Максимальная рабочая температура
150°C
-
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
-
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
-
-
Максимальная потеря мощности
150mW
800mW
800mW
Форма вывода
FLAT
-
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
10
Число контактов
6
3
3
Направленность
NPN, PNP
-
-
Конфигурация элемента
Dual
Single
Single
Распад мощности
150mW
-
-
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
30V
30V
Максимальный ток сбора
200mA
1A
1A
Частота перехода
260MHz
320MHz
320MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
30V
30V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
30
-
-
Прямоходящий ток коллектора
-200mA
-
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Copper, Tin
Copper, Tin
Вид крепления
-
Surface Mount
Surface Mount
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Минимальная частота работы в герцах
-
270
270
Рабочая температура
-
150°C TJ
150°C TJ
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Основной номер части
-
2SB1733
2SD2703
Продуктивность полосы частот
-
400MHz
320MHz
Полярность/Тип канала
-
PNP
NPN
Тип транзистора
-
PNP
NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
270 @ 100mA 2V
270 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
350mV @ 25mA, 500mA
350mV @ 25mA, 500mA
Максимальная частота
-
100MHz
100MHz
Частота - Переход
-
320MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
-30V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
-6V
6V
Высота
-
820μm
820μm
Длина
-
2.1mm
2.1mm
Ширина
-
1.8mm
1.8mm
Код ТН ВЭД
-
-
8541.21.00.75