DXT13003EK-13 Альтернативные части: 2SD1918TLQ

DXT13003EK-13Diodes Incorporated

  • DXT13003EK-13Diodes Incorporated
  • 2SD1918TLQROHM Semiconductor

В наличии: 2500

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV
TRANS NPN 160V 1.5A SOT-428
Срок поставки от производителя
8 Weeks
20 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес
1.799996g
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
460V
160V
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2014
1999
Код JESD-609
e3
e2
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
2
2
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Tin/Copper (Sn98Cu2)
Максимальная потеря мощности
1.6W
1W
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
10
Код JESD-30
R-PSSO-G2
R-PSSO-G2
Конфигурация элемента
Single
Single
Сокетная связка
COLLECTOR
-
Продуктивность полосы частот
4MHz
80MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
400mV
2V
Максимальный ток сбора
1.5A
1.5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
15 @ 300mA 2V
120 @ 100mA 5V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 250mA, 1A
2V @ 100mA, 1A
Частота перехода
4MHz
80MHz
Максимальное напряжение разрушения
460V
160V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
9V
5V
Прямоходящий ток коллектора
1.5A
1.5A
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Покрытие контактов
-
Copper, Tin
Количество контактов
-
3
Минимальная частота работы в герцах
-
120
Безоловая кодировка
-
yes
Завершение
-
SMD/SMT
Код ТН ВЭД
-
8541.29.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
160V
Моментальный ток
-
1.5A
Основной номер части
-
2SD1918
Число контактов
-
3
Распад мощности
-
1W
Мощность - Макс
-
10W
Применение транзистора
-
SWITCHING
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
1μA ICBO
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
160V
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No
Без свинца
-
Lead Free