DTDG14GPT100 Альтернативные части: NSM4002MR6T1G

DTDG14GPT100ROHM Semiconductor

  • DTDG14GPT100ROHM Semiconductor
  • NSM4002MR6T1GON Semiconductor

В наличии: 5000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
ON SEMICONDUCTOR NSM4002MR6T1GBipolar Transistor Array, Dual NPN, 45 V, 500 W, 500 mA, 40, SC-74
Срок поставки от производителя
13 Weeks
8 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-243AA
SC-74, SOT-457
Количество контактов
3
6
Диэлектрический пробой напряжение
60V
45V
Количество элементов
1
-
Минимальная частота работы в герцах
300
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2012
Код JESD-609
e2
-
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Завершение
SMD/SMT
-
Код ECCN
EAR99
-
Конечная обработка контакта
TIN COPPER
-
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
60V
-
Максимальная потеря мощности
2W
500mW
Форма вывода
FLAT
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Моментальный ток
1A
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
-
Основной номер части
DTDG14
-
Число контактов
3
-
Максимальный выходной ток
1A
-
Входной напряжение питания
60V
-
Направленность
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Dual
Распад мощности
500mW
-
Сокетная связка
COLLECTOR
-
Применение транзистора
SWITCHING
-
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
2 NPN (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
400mV
45V
Максимальный ток сбора
1A
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
300 @ 500mA 2V
100 @ 10mA 1V / 250 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 500mA
300mV @ 5mA, 50mA / 700mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода
80MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
60V
45V
Частота - Переход
80MHz
300MHz 100MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Прямоходящий ток коллектора
1A
500mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
10 k Ω
-
Максимальное напряжение на выходе
0.4 V
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
200mA 500mA
Рабочая температура
-
-55°C~150°C TJ
Продуктивность полосы частот
-
100MHz
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
40V 45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
50V
Высота
-
1mm
Длина
-
3.1mm
Ширина
-
1.7mm