DTC144TUAT106 Альтернативные части: BC847BW-7-F ,FJX3003RTF

DTC144TUAT106ROHM Semiconductor

  • DTC144TUAT106ROHM Semiconductor
  • BC847BW-7-FDiodes Incorporated
  • FJX3003RTFON Semiconductor

В наличии: 20890

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    8.673077 ₽

    8.65 ₽

  • 10

    8.182143 ₽

    81.87 ₽

  • 100

    7.719011 ₽

    771.84 ₽

  • 500

    7.282088 ₽

    3,641.07 ₽

  • 1000

    6.869890 ₽

    6,869.92 ₽

Цена за единицу: 8.673077 ₽

Итоговая цена: 8.65 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Срок поставки от производителя
13 Weeks
19 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
45V
50V
Количество элементов
1
1
-
Минимальная частота работы в герцах
100
200
56
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2007
-
Код JESD-609
e1
e3
-
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Active
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
-
Завершение
SMD/SMT
SMD/SMT
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
-
Конечная обработка контакта
TIN SILVER COPPER
-
-
Максимальная рабочая температура
150°C
-
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR
-
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
45V
50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
-
Моментальный ток
100mA
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
40
-
Основной номер части
DTC144
BC847
-
Число контактов
3
3
-
Направленность
NPN
-
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
200mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
-
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
NPN
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
45V
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 1mA 5V
200 @ 2mA 5V
56 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA ICBO
20nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 500μA, 5mA
600mV @ 5mA, 100mA
300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода
250MHz
300MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
50V
45V
-
Частота - Переход
250MHz
-
250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
6V
10V
База (R1)
47 k Ω
-
22 kOhms
Прямоходящий ток коллектора
100mA
-
100mA
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
-
Вес
-
6.010099mg
-
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Рабочая температура
-
-65°C~150°C TJ
-
Частота
-
300MHz
-
Продуктивность полосы частот
-
300MHz
-
Полярность/Тип канала
-
NPN
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
50V
-
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
-
Высота
-
1.1mm
-
Длина
-
2.2mm
-
Ширина
-
1.35mm
-
Поставщик упаковки устройства
-
-
SC-70 (SOT323)
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
-
100mA
Мощность - Макс
-
-
200mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
-
50V
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
-
22 kOhms