DTC143EUAT106 Альтернативные части: DTC143XUAT106

DTC143EUAT106ROHM Semiconductor

  • DTC143EUAT106ROHM Semiconductor
  • DTC143XUAT106ROHM Semiconductor

В наличии: 60319

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    9.008516 ₽

    9.07 ₽

  • 10

    8.498599 ₽

    85.03 ₽

  • 100

    8.017541 ₽

    801.79 ₽

  • 500

    7.563723 ₽

    3,781.87 ₽

  • 1000

    7.135591 ₽

    7,135.58 ₽

Цена за единицу: 9.008516 ₽

Итоговая цена: 9.07 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Срок поставки от производителя
10 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
30
30
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2006
Код JESD-609
e1
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Not For New Designs
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Завершение
SMD/SMT
SMD/SMT
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
Основной номер части
DTC143
DTC143
Число контактов
3
3
Максимальный выходной ток
100mA
-
Входной напряжение питания
50V
-
Направленность
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
30 @ 10mA 5V
30 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
База (R1)
4.7 k Ω
4.7 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
4.7 k Ω
10 k Ω
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free