DTC143EMT2L Альтернативные части: DTC143ZMT2L ,DTC043ZMT2L

DTC143EMT2LROHM Semiconductor

В наличии: 52326

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
10.758242 ₽
10.71 ₽
10
10.149286 ₽
101.51 ₽
100
9.574794 ₽
957.42 ₽
500
9.032830 ₽
4,516.48 ₽
1000
8.521538 ₽
8,521.57 ₽

Цена за единицу: 10.758242 ₽

Итоговая цена: 10.71 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDTC143EMT2L	иDTC143ZMT2L	иDTC043ZMT2L
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA VMT3
Срок поставки от производителя	13 Weeks	13 Weeks	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-723	SOT-723	SOT-723
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	30	80	80
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	2006	2013
Безоловая кодировка	yes	yes	-
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V	-
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW	150mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	FLAT	FLAT	FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	-
Моментальный ток	100mA	100mA	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10	-
Основной номер части	DTC143	DTC143	-
Число контактов	3	3	-
Направленность	NPN	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	150mW	150mW	150mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	150mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	30 @ 10mA 5V	80 @ 10mA 5V	80 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 250μA, 5mA	150mV @ 500μA, 5mA
Частота перехода	250MHz	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz
База (R1)	4.7 k Ω	4.7 k Ω	4.7 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	4.7 k Ω	47 k Ω	47 k Ω
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Код JESD-609	-	e2	-
Завершение	-	SMD/SMT	-
Конечная обработка контакта	-	Tin/Copper (Sn/Cu)	-
Максимальный выходной ток	-	100mA	-
Входной напряжение питания	-	50V	-

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DTC143XMT2L	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-723	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	Для сравнения
DTC143ZMT2L	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-723	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	Для сравнения
DTC043ZMT2L	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-723	TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA VMT3	Для сравнения