DTC143EKAT146 Альтернативные части: DTC113ZKAT146

DTC143EKAT146ROHM Semiconductor

В наличии: 121114

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.068681 ₽
8.10 ₽
10
7.611964 ₽
76.10 ₽
100
7.181099 ₽
718.13 ₽
500
6.774615 ₽
3,387.36 ₽
1000
6.391154 ₽
6,391.21 ₽

Цена за единицу: 8.068681 ₽

Итоговая цена: 8.10 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDTC143EKAT146	иDTC113ZKAT146
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Срок поставки от производителя	13 Weeks	13 Weeks
Покрытие контактов	Copper, Silver, Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	30	33
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	2006
Код JESD-609	e1	e1
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Завершение	SMD/SMT	SMD/SMT
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	100mA	100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10
Основной номер части	DTC143	DTC113
Число контактов	3	3
Максимальный выходной ток	100mA	100mA
Входной напряжение питания	50V	50V
Направленность	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	200mW	200mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	30 @ 10mA 5V	33 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz
База (R1)	4.7 k Ω	1 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	4.7 k Ω	10 k Ω
Высота	1.1mm	-
Длина	2.9mm	-
Ширина	1.6mm	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DTC143XKAT146	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3	Для сравнения
DTC114GKAT146	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3	Для сравнения
DTC113ZKAT146	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3	Для сравнения