DTC114EMT2L Альтернативные части: DTC143EMT2L ,DTC124XMT2L

DTC114EMT2LROHM Semiconductor

В наличии: 26510

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
3.505495 ₽
3.57 ₽
10
3.307074 ₽
33.10 ₽
100
3.119876 ₽
311.95 ₽
500
2.943283 ₽
1,471.70 ₽
1000
2.776676 ₽
2,776.65 ₽

Цена за единицу: 3.505495 ₽

Итоговая цена: 3.57 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDTC114EMT2L	иDTC143EMT2L	иDTC124XMT2L
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Срок поставки от производителя	13 Weeks	13 Weeks	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-723	SOT-723	SOT-723
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	30	30	68
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2009	2006	2006
Код JESD-609	e2	-	e2
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin/Copper (Sn/Cu)	-	Tin/Copper (Sn/Cu)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V	50V
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW	150mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	FLAT	FLAT	FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	50mA	100mA	50mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10	10
Основной номер части	DTC114	DTC143	DTC124
Число контактов	3	3	3
Максимальный выходной ток	100mA	-	-
Входной напряжение питания	50V	-	-
Направленность	NPN	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	150mW	150mW	150mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	50mA	100mA	50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	30 @ 5mA 5V	30 @ 10mA 5V	68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода	250MHz	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz
База (R1)	10 k Ω	4.7 k Ω	22 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	50mA	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	10 k Ω	4.7 k Ω	47 k Ω
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
REACH SVHC	-	No SVHC	-

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DTC143XMT2L	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-723	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	Для сравнения
DTC143EMT2L	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-723	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	Для сравнения
DTC124XMT2L	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-723	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	Для сравнения