Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DTC114EETL Альтернативные части: DTC114EMT2L
DTC114EETLROHM Semiconductor
В наличии: 120929
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
8.310440 ₽
8.24 ₽
10
7.840041 ₽
78.43 ₽
100
7.396264 ₽
739.56 ₽
500
6.977610 ₽
3,488.74 ₽
1000
6.582651 ₽
6,582.69 ₽
Цена за единицу: 8.310440 ₽
Итоговая цена: 8.24 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-75, SOT-416 | SOT-723 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 30 | 30 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2005 | 2009 |
Код JESD-609 | e1 | e2 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Завершение | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Copper (Sn/Cu) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 150mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | FLAT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 50mA | 50mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 |
Основной номер части | DTC114 | DTC114 |
Число контактов | 3 | 3 |
Максимальный выходной ток | 100mA | 100mA |
Входной напряжение питания | 50V | 50V |
Направленность | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 150mW | 150mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 50mA | 50mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 30 @ 5mA 5V | 30 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
База (R1) | 10 k Ω | 10 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 50mA | 50mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10 k Ω | 10 k Ω |
Высота | 700μm | - |
Длина | 1.6mm | - |
Ширина | 800μm | - |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTC114EMT2L | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-723 | TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | Для сравнения |
 | DTC114EUBTL | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-85 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F | Для сравнения |
 | MMBTH24-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 40V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | DTC114EKAT146 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | Для сравнения |