DTC043ZMT2L Альтернативные части: DTC123JMT2L ,DTC114TMT2L

DTC043ZMT2LROHM Semiconductor

В наличии: 66533

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.174451 ₽
8.24 ₽
10
7.711745 ₽
77.06 ₽
100
7.275234 ₽
727.47 ₽
500
6.863420 ₽
3,431.73 ₽
1000
6.474931 ₽
6,475.00 ₽

Цена за единицу: 8.174451 ₽

Итоговая цена: 8.24 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDTC043ZMT2L	иDTC123JMT2L	иDTC114TMT2L
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA VMT3	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Срок поставки от производителя	13 Weeks	13 Weeks	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-723	SOT-723	SOT-723
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	80	80	100
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2013	2004	2006
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21	BUILT-IN BIAS RESISTOR
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW	150mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	FLAT	FLAT	FLAT
Направленность	NPN	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	150mW	150mW	150mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	150mV	300mV	50V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 5mA 10V	80 @ 10mA 5V	100 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA	500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	150mV @ 500μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 1mA, 10mA
Частота перехода	250MHz	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz
База (R1)	4.7 k Ω	2.2 k Ω	10 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47 k Ω	47 k Ω	-
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Код ТН ВЭД	-	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	50V	50V
Моментальный ток	-	100mA	100mA
Основной номер части	-	DTC123	DTC114
Число контактов	-	3	3
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Завершение	-	-	SMD/SMT
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-	-	5V

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DTC114TMT2L	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-723	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	Для сравнения
DTC143ZMT2L	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-723	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	Для сравнения
DTC123JMT2L	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-723	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3	Для сравнения