DTA144EUAT106 Альтернативные части: MMBT3906WT1G ,DTA114YUAT106

DTA144EUAT106ROHM Semiconductor

  • DTA144EUAT106ROHM Semiconductor
  • MMBT3906WT1GON Semiconductor
  • DTA114YUAT106ROHM Semiconductor

В наличии: 15053

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.119368 ₽

    11.13 ₽

  • 10

    10.489973 ₽

    104.95 ₽

  • 100

    9.896195 ₽

    989.56 ₽

  • 500

    9.336030 ₽

    4,667.99 ₽

  • 1000

    8.807582 ₽

    8,807.55 ₽

Цена за единицу: 11.119368 ₽

Итоговая цена: 11.13 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 0.2W UMT3
TRANS PNP 40V 0.2A SOT323
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Срок поставки от производителя
10 Weeks
5 Weeks
10 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Silver, Tin
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
40V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
68
60
68
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2006
2006
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Not For New Designs
Active
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Завершение
SMD/SMT
-
SMD/SMT
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная рабочая температура
150°C
-
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
-
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
-
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-40V
-50V
Максимальная потеря мощности
200mW
150mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
-30mA
-200mA
-70mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
40
10
Основной номер части
DTA144
MMBT3906
DTA114
Число контактов
3
3
3
Максимальный выходной ток
100mA
-
100mA
Входной напряжение питания
50V
-
50V
Направленность
PNP
-
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
200mW
150mW
200mW
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
SWITCHING
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
PNP
PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
40V
300mV
Максимальный ток сбора
30mA
200mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
68 @ 5mA 5V
100 @ 10mA 1V
68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
-
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
400mV @ 5mA, 50mA
300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
40V
50V
Частота - Переход
250MHz
-
250MHz
База (R1)
47 k Ω
-
10 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
-30mA
-
-70mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47 k Ω
-
47 k Ω
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
-
Вес
-
4.535924g
-
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Рабочая температура
-
-55°C~150°C TJ
-
Код JESD-609
-
e3
e1
Частота
-
250MHz
-
Продуктивность полосы частот
-
250MHz
-
Полярность/Тип канала
-
PNP
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
40V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
5V
-
Время включения максимальный (тон)
-
70ns
-
Высота
-
1mm
-
Длина
-
2.2mm
-
Ширина
-
1.35mm
-
Конечная обработка контакта
-
-
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)